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采用I-V测试技术,研究了CMOS/BESOI器件的I-V亚阈特性与温度的关系。结果表明,随着温度的升高,I-V曲线的亚或斜率减小,且阈电压漂移增加。 相似文献
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日趋成熟的SOI技术 总被引:3,自引:0,他引:3
SOI技术作为 2 1世纪的硅集成技术正在日益受到人们的青睐。从SOI技术的发展过程、制备工艺、开发应用及市场预测几个方面评述了SOI技术现状及前景。 相似文献
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采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10~(-6)/℃(FS). 相似文献
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TransientradiationeffectsinCMOSinvertersfabricatedonSIMOXandBESOIwafersZhuShi-Yang(竺士炀),LinCheng-Lu(林成鲁)(StateKeyLaboratoryof... 相似文献
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WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 相似文献
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采用SIMOX和BESOI材料制作了CMOS倒相器电路,在25 ̄200℃的不同温度下测量了PMOS和NMOS的亚阈特性曲线,实验结果显示,薄膜全耗尽IMOX器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜BESOI器件。 相似文献
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用薄膜SIMOX(SeparationbyIMplantationofOXygen)、厚膜BESOI(ffendingandEtch-backSiliconOnInsulator)和体硅材料制备了CMOS倒相器电路,并用60Coγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下,经不同剂量辐照后,分别测量了PMOS、NMOS的亚阈特性曲线,分析了引起MOSFET阈值电压漂移的两种因素(辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷)。对NMOS/SIMOX,由于寄生背沟MOS结构的影响,经辐照后背沟漏电很快增大,经300Gy(Si)辐照后器件已失效。而厚膜BESOI器件由于顶层硅膜较厚,基本上没有背沟效应,其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜SIMOX器件抗辐照性能的几种措施。 相似文献
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薄膜全耗尽CMOS/SOI—下一代超高速Si IC主流工艺 总被引:3,自引:0,他引:3
本文较为详细地分析了薄膜全耗尽CMOS/SOI技术的优势和国内外TF CMOS/SOI器件和电路的发展状况,讨论了SOI技术今后发展的方向,得出了全耗尽CMOS/SOI成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。 相似文献
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在表层硅厚度约6μmBESOI材料上,制备了Al栅CMOS器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰SOI薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Kink效应。样品未作抗辐照工艺加固,γ累积辐辐照剂量已达3×105rad(Si)。实验表明,该结构埋层SiO2的存在对器件的辐照性能影响不明显。 相似文献
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用BESOI技术形成带腔结构,研制了具有高过载性能的绝压式和差压式压力传感器。用凸型梁结构使形变膜的应力放大,可提高传感器的输出灵敏度,实验得到的负压传感器的非线性度小于0.1%,5V时输出灵敏度约2.6mV/kPa。 相似文献
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