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采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响。结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550℃升高到750℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10℃/min提高为20℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在p_Si和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12(BLTN)铁电薄膜,研究了BLTN薄膜的晶相结构、表面形貌、铁电性能、介电性能和C_V性能。结果表明:所制备的BLTN薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,且为随机取向;高于650℃退火处理的BLTN薄膜表面平整致密;铁电性能测试显示较饱和的电滞回线;当退火温度为650℃时,其剩余极化Pr和Ec分别为24.6μC/cm2和96.8 kV/cm,明显优于Bi3Ti4O12(BIT)薄膜的铁电性能;室温下,当测试频率为10 kHz时,薄膜的介电常数为386,介电损耗为0.69%,具有良好的介电性能;C_V曲线为顺时针方向回滞,记忆窗口约为1.5 V,可以实现极化存储。 相似文献
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