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2.
Mitsuo Miyazawa Hideki Kawazoe Mitsuro Hyakumachi 《Journal of chemical technology and biotechnology (Oxford, Oxfordshire : 1986)》2003,78(6):620-625
The microbial transformation of l‐menthol ( 1 ) was investigated by using 12 isolates of soil‐borne plant pathogenic fungi, Rhizoctonia solani (AG‐1‐IA Rs24, Joichi‐2, RRG97‐1; AG‐1‐IB TR22, R147, 110.4; AG‐1‐IC F‐1, F‐4, P‐1; AG‐1‐ID RCP‐1, RCP‐3, and RCP‐7) as a biocatalyst. Rhizoctonia solani F‐1, F‐4 and P‐1 showed 89.7–99.9% yields of converted product from 1 , RCP‐1, RCP‐3, and RCP‐7 26.0–26.9% and the other isolates 0.1–12.0%. In the cases of F‐1, F‐4 and P‐1, substrate 1 was converted to (?)‐(1S,3R,4S,6S)‐6‐hydroxymenthol ( 2 ), (?)‐(1S,3R,4S)‐1‐hydroxymenthol ( 3 ) and (+)‐(1S,3R,4R,6S)‐6,8‐dihydroxymenthol ( 4 ), which was a new compound. Substrate 1 was converted to 2 and/or 3 by RRG97‐1, 110.4, RCP‐1, RCP‐3 and RCP‐7. The structures of the metabolic products were elucidated on the basis of their spectral data. In addition, metabolic pathways of the biotransformation of 1 by Rhizoctonia solani are discussed. Finally, from the main component analysis and the differences in the yields of converted product from 1 , the 12 isolates of Rhizoctonia solani were divided into three groups based on an analysis of the metabolites. Copyright © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
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上海秀派公司坚持自己的技术长项——2.45GHz有源RFID,充分发扬该种RFID的特长,记者采访该公司时了解到了开发方面的很多细节、成功案例和实施经验。我们不但非常推崇该公司的“锲而不舍”的意志,而且还意识到如果秀派公司的成功经验一旦辐射到中国的RFID行业中,一定会把这项在国外诞生的技术更好地植根于中国的土壤,使之更加适合中国的实用环境。 相似文献
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集成电路生产中废气的污染及治理 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍集成电路生产中产生各种废气的种类,废气中有害物质浓度及其危害性,并依据工程实践,评述了各类有害废气的各种处理方法。 相似文献
6.
Sebastián López Gustavo M. Callicó Félix Tobajas Valentín de Armas José F. López Roberto Sarmiento 《ETRI Journal》2008,30(6):862-864
This letter presents a novel approach for organizing computational resources into groups within H.264/AVC motion estimation architectures, leading to reductions of up to 75% in the equivalent gate count with respect to state‐of‐the‐art designs. 相似文献
7.
P Sallagoity F Gaillard M Rivoire M Paoli M Haond S McClathie 《Microelectronics Reliability》1998,38(2):700
This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated. 相似文献
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介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路,该电路无须外接电阻、电容,可存储数首歌曲;另外,还可设计出一种数字音频程控频率合成器,时钟为f0时,可控频率范围为f02~f02N。 相似文献
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SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径,从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。 相似文献