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1.
Abstract

Model order reduction is a common practice to reduce large order systems so that their simulation and control become easy. Nonlinearity aware trajectory piecewise linear is a variation of trajectory piecewise linearization technique of order reduction that is used to reduce nonlinear systems. With this scheme, the reduced approximation of the system is generated by weighted sum of the linearized and reduced sub-models obtained at certain linearization points on the system trajectory. This scheme uses dynamically inspired weight assignment that makes the approximation nonlinearity aware. Just as weight assignment, the process of linearization points selection is also important for generating faithful approximations. This article uses a global maximum error controller based linearization points selection scheme according to which a state is chosen as a linearization point if the error between a current reduced model and the full order nonlinear system reaches a maximum value. A combination that not only selects linearization points based on an error controller but also assigns dynamic inspired weights is shown in this article. The proposed scheme generates approximations with higher accuracies. This is demonstrated by applying the proposed method to some benchmark nonlinear circuits including RC ladder network and inverter chain circuit and comparing the results with the conventional schemes.  相似文献   
2.
针对模拟电路健康管理的特点,提出了一种基于PSO优化多核RVM的模拟电路故障预测方法。利用参数分析得到电路的输出频域响应作为特征,计算其与电路无故障标准响应的欧氏距离来表征电路元件健康值,将多个核函数线性组合,并用PSO优化多核RVM参数后的模型实现对各个时间点元件的健康值变化轨迹进行预测。仿真结果表明,该方法在小样本情况下,预测效果优于单一核函数的RVM模型,适用于健康管理中实时预测,具有较好的实用性。  相似文献   
3.
曾秋云 《电子科技》2015,28(4):116-119
基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。  相似文献   
4.
《Microelectronics Journal》2015,46(11):1012-1019
This paper presents a voltage reference generator architecture and two different realizations of it that have been fabricated within a standard 0.18 μm CMOS technology. The architecture takes the advantage of utilizing a sampled-data amplifier (SDA) to optimize the power consumption. The circuits achieve output voltages on the order of 190 mV with temperature coefficients of 43 ppm/°C and 52.5 ppm/°C over the temperature range of 0 to 120°C without any trimming with a 0.8 V single supply. The power consumptions of the circuits are less then 500 nW while occupying an area of 0.2 mm2 and 0.08 mm2, respectively.  相似文献   
5.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
倪昊  徐元森 《半导体学报》2003,24(5):466-471
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.  相似文献   
6.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
7.
采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.  相似文献   
8.
9.
Superconducting qubits are solid state electrical circuits fabricated using techniques borrowed from conventional integrated circuits. They are based on the Josephson tunnel junction, the only non-dissipative, strongly non-linear circuit element available at low temperature. In contrast to microscopic entities such as spins or atoms, they tend to be well coupled to other circuits, which make them appealling from the point of view of readout and gate implementation. Very recently, new designs of superconducting qubits based on multi-junction circuits have solved the problem of isolation from unwanted extrinsic electromagnetic perturbations. We discuss in this review how qubit decoherence is affected by the intrinsic noise of the junction and what can be done to improve it. PACS: 03.67.-a, 03.65.Yz, 85.25.-j, 85.35.Gv  相似文献   
10.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
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