具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3″硅片低温外延研究

本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统，本底真空达１０＾－７Ｐａ。该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。     

非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究

本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．     

硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管

本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。     

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。