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1.
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对MCT的核心工艺-三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM-Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。 相似文献
2.
Power devices with high capability have been developed. 8‐kV/3.5‐kA‐class light‐triggered thyristors have the highest capability among power devices. These devices are used in the Kii Channel HVDC transmission system in Japan. In this paper, we report the extracted problems of conventional testing methods of 8‐kV/3.5‐kA‐class light‐triggered thyristors among manufacturers, and the proposed unified testing methods on the basis of element characteristics and operating conditions in the Kii Channel HVDC system. Furthermore, we propose a figure of merit for power devices for the practical use, and try to extract elements used at the Kii Channel HVDC system with small margins and low withstand capabilities. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 140(3): 61–70, 2002; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.10024 相似文献
3.
4.
5.
晶闸管逆变式弧焊电源的主回路分析和设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了晶闸管逆变式下降特性弧焊电源主回路的工作原理,指出了现有文献分析的不足之处,提出了逆变变压器的设计方法和换向电容、输出滤波电感电容的参数计算公式,并给出了设计实例。 相似文献
6.
集成门极换向晶闸管(IGCT)是新型电力半导体开关,具有耐压高、电流大、开关频率高、开关损耗低等优越性能,尤其适用于高压大功率电力电子装置.目前通用电路仿真软件中还没有专门的IGCT仿真模型,不能满足可靠的仿真性能的要求.基于电力电子器件的物理现象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、电学模型法、集总电荷模型法和物理模型法等.对上述几种建模方法分别进行了仿真研究后,对比分析各模型开关动作过程和器件内部物理现象,比较它们之间的优缺点,分析出各种模型的适用范围. 相似文献
7.
电力电子实验装置中的晶闸管保护 总被引:1,自引:1,他引:0
在晶闸管变流电路中,应对晶闸管设置必要的过压保护、过流保护、di/dt保护、du/dt保护电路,以保证变流装置的正常运行.电力电子实验装置中虽对晶闸管设置了一定的保护措施,但晶闸管依然经常损坏.分析了这种保护措施的可靠性及晶闸管损坏的原因,并提供了解决问题的方法. 相似文献
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10.
本文结合Intel 80C 196MC单片机的高速控制性能,讲述了一种以此单片机为控制核心、晶闸管为主电路元件的软起动系统。实现三相异步电动机的平稳软起动,降低了起动电流。并对电机的过流、欠压等进行故障保护。既延长了电机寿命,又减轻了对电网的冲击。 相似文献