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1.
2.
王福臣 《固体电子学研究与进展》1992,(4)
对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44%,而且在2~4GHz的整个S频段均能满意地工作。 相似文献
3.
阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献
4.
The growing need for reliable, efficient, high temperature hydrogen and hydrocarbon monitoring has fueled research into novel structures for gas sensing. Metal oxide semiconductor (MOS) devices employing a catalytic metal layer have emerged as one of the leading sensing platforms for such applications, owing to their high sensitivity and inherent capability for signal amplification. The limited operating temperature of such devices employing silicon as the semiconductor has led research efforts to focus on replacing them with devices based on silicon carbide (SiC). More recently, MOS devices having different oxide layers exhibiting improved sensing performance have emerged. Considering the amount of research that has been carried out in this area in recent times, it is important to elucidate the new findings and the gas interaction mechanisms that have been ascribed to such devices, and bring together several theories proposed by different research groups. In this paper we first highlight the needs which have driven research into SiC based field effect hydrogen and hydrocarbon sensors, illustrate the various structures being investigated, and describe the device evolution and current status. We provide several sensing examples of devices that make use of different oxide layers and demonstrate how their electrical properties change in the presence of the gases, as well as presenting the hydrogen gas interaction mechanisms of these sensors. 相似文献
5.
6.
A.-C. SalaünAuthor Vitae F. Le BihanAuthor VitaeT. Mohammed-BrahimAuthor Vitae 《Sensors and actuators. B, Chemical》2011,158(1):138-143
High sensitivity to chemical species of sub-micron gap Suspended-Gate FETs (more than 200 mV/pH for example) is explained from the charge distribution induced by the high field in the sub-micronic gap under the gate-bridge. Modeling of Metal-Electrolyte-Insulator-Silicon (MEIS) capacitor, which is the basic vertical structure of the transistor, is performed to highlight this effect through the response to the pH change of the solution filling the gap. The analytical model is based on the 2D-numerical resolution of Poisson's equation. The response of quasi-static C(V) plots versus pH is simulated using both electrolyte charge distribution and site-binding theory considering the influence of sites densities on silicon nitride. Device modeling and simulated/experimental electrical characteristics are presented. Effect of the gap thickness on the pH sensitivity is also discussed in this study. 相似文献
7.
8.
提出了一种应用于DBS移动接收中的5位数字移相器的设计方案,并通过实验验证了其实际性能。该移相器采用加载线型和反射型移相原理,首先应用ADS软件进行设计仿真;仿真结果显示该移相器具有频带内高移相精度、低插入损耗和低VSWR等性能,符合设计要求。最后使用Agilent矢量网络分析仪对实物进行测试,进而验证了设计方案的正确性。 相似文献
9.
针对场效应管电路分析中不同元件性能参数不同而导致一些理论计算复杂、繁琐,并且难于理解的情况,通过对N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路的理论研究,利用Multisim仿真软件对电路实际工作情况进行模拟,根据二者结果的对比,研究并提出了分压-自偏压共源放大电路的Multisim电路仿真研究的方法。 相似文献
10.