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采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜,并研究了HfOxNy栅介质薄膜的化学特性和界面结构随淀积温度的变化而发生的变化规律。光电子能谱测试表明,随着衬底温度的升高,薄膜中的氮含量也随之增加。傅立叶红外吸收光谱研究表明,随着淀积温度的增加,界面层SiO2的厚度也逐渐增高。 相似文献
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用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜.沉积过程在氧气、氮气和氩气的气氛中进行,衬底为多光谱ZnS,沉积温度为室温.用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪、紫外-可见分光光度计等分别研究了不同氧分压下HfOxNy薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能等.XRD分析表明随着氧分压的降低,薄膜的晶体结构由氧化铪转变为氮氧化铪相;SEM和AFM分析表明不同氧分压下沉积的薄膜都为柱状结构,氧分压较低时薄膜表面粗糙度较大;镀膜之后,在0.35~2μm范围内,薄膜的透过率变化有显著差异,在2~12μm波段,薄膜透过率和未镀膜衬底透过率相当,变化不明显. 相似文献
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Nitridation treatments are generally used to enhance the thermal stability and reliability of high-k dielectric. It is observed in this work that, the electrical characteristics of high-k gated MOS devices can be significantly improved by a nitridation treatment using plasma immersion ion implantation (PIII). Equivalent oxide thickness, (EOT) and interface trap density of MOS devices are reduced by a proper PIII treatment. At an identical EOT, the leakage current of devices with PIII nitridation can be reduced by about three orders of magnitude. The optimal process conditions for PIII treatment include nitrogen incorporation through metal gate, ion energy of 2.5 keV, and implantation time of 15 min. 相似文献
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用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究. 实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能. 研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 相似文献
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