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1.
以文献[1]建立的张应力引起的非平衡晶界偏聚动力学方程模拟了Shinoda T等的磷在钢中的应力时效实验结果和Misra R D K的硫在钢中的应力时效实验结果,模拟结果与实验结果互相吻合。通过模拟发现,张应力使磷-空位复合体以及硫-空位复合体在钢中的扩散系数均增加3个数量级,且磷原子和硫原子的扩散系数分别降低3个和5个数量级。  相似文献   
2.
用正电子湮没技术研究了七种铁基非晶态合金,结果表明铝含量高的合金的正电子湮没参数大于铝含量低的合金,意味着铝的存在会造成铁基非晶态合金微观结构的不均匀性,很可能是较多的类空位缺陷出现。  相似文献   
3.
用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布  相似文献   
4.
本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01%杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10%的试样中的位错密度及形成空位团的有效空位浓度。  相似文献   
5.
固体氧化物燃料电池(SOFC)因其高效、清洁及便携性等优点被认为是当前最具应用前景的新能源技术之一。传统SOFC较高的工作温度(>800 ℃)限制了其商业推广,降低其工作温度成为当前研究的热点。钙钛矿阴极材料La1?xSrxCo1?yFeyO3?δ(LSCF)因具有较高的电子离子混合导电性而成为中温SOFC阴极材料的较佳选择,同时实验证明F替代O位能有效提升SOFC稳定性。基于已有实验报道,本文采用第一性原理计算了F掺杂对LSCF电子结构影响、氧气分子在(100)表面吸附能的变化、阴极体内氧空位形成能及氧离子迁移活化能的影响。通过与未掺杂材料性能的比较,证明:适量F掺杂LSCF在有效提升阴极表面对氧气分子吸附能力同时能进一步提高体内氧离子迁移效率,从而提升阴极氧化还原反应能力。   相似文献   
6.
用共沉淀法合成了BaTiO3,研究了Ba1-xNdxTiO3系Nd3+施主一次掺杂在x=0.03~0.065之间时,BaTiO3基陶瓷电容器的本征电性能。结果表明,在此含量范围掺杂的情况下,陶瓷呈绝缘性,Nd3+含量在0.03~0.055左右时随着Nd3+含量的增加,陶瓷的ε增加,Tc呈下降趋势,tgδ值下降。Zr4+的加入也可使材料的ε增加,Tc下降。Mn2+的加入对材料的本征电性能影响不大。Ba1-3x/2NdxTiO3配比比Ba1-xNdxTiO3配比的材料的温度特性要好。  相似文献   
7.
为开发高活性、高收率的合成气制低碳烯烃(STO)双功能催化剂,通过共沉淀法制备非化学计量尖晶石Zn-Cr-Al氧化物,对其织构性质、晶体结构、形貌特征以及表面电荷性质等进行研究。结果表明添加过量锌能够促进晶体粒径减小,表面氧空位增多。其中Zn/(Cr+Al)摩尔比为1.25时锌含量较为适宜,将其与SAPO-34沸石分子筛结合为双功能催化剂用于STO性能研究。在进气n(H2):n(CO)=2:1,3000 mL/(gcat·h),3.2 MPa,400 ℃反应条件下,实现46.9% CO转化率,C2-4烯烃收率高达15.9%,高于大部分已有文献报道(8~14%),特别是副产物CO2选择性仅29.2%,低于普遍报道的40~50% CO2选择性。并且催化剂运行100 h后活性良好,稳定的催化性能使其具有工业应用价值。  相似文献   
8.
采用制备的Ca—Mg系复合凝聚剂,对造纸法烟草薄片废水进行高效固-液分离,以大大降低后续生化处理负荷。获得的污泥固体富含烟碱类物质而进一步提取,用于生物源杀虫剂的活性成份;提取后的污泥固体用作粉状杀虫剂的载附剂,完全达到资源化利用。采用该法单级分离COD去除率可达到70%-80%,具有一定实用价值。  相似文献   
9.
氧空位对氧化锆相结构稳定性及相变过程的影响   总被引:9,自引:0,他引:9  
从晶体学和配位学的角度,结合电化学技术,讨论了氧空位对氧化锆相结构结构稳定性的影响及氧化锆四方相单斜相转变过程中的作用。结果表明:氧空位的存在与变化不仅影响着氧化锆相结构的稳定性,而且影响着氧化锆的低温相变过程。对于含有一定担氧空位的亚稳四方相氧化锆,氧空位浓度的增加与减少都会进一步降低其结构稳定性,使之更加容晚地向单斜相转变  相似文献   
10.
以Ba(Ti1-xNbx)O3和(Ba1-xLax)Ti1-x/4O3(x=0.03)陶瓷为对象,对应研究Nd5+和La3+分别替代在BaTiO3陶瓷的Ti4+位和Ba2+位所起的施主效应和缺陷补偿机制.结果表明:La3+诱致Ti空位缺陷,形成阳离子空位补偿,而非具有施主效应的电子补偿模式.Nb5+在BaTiO3的掺杂导致多重补偿机制,除产生共存的Ba空位和Ti空位缺陷外,来源于Nb5+施主效应的电子补偿占支配地位,导致Ba(Ti1-xNbx)O3陶瓷的半导体效应.  相似文献   
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