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1.
InGaAs MSM—PD及其与FET单片集成的进展
杨易
施惠英
《半导体光电》
1993,14(3):238-243
本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。
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