一种Rail-to-Rail运算放大器设计

基于SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺设计了一种低功耗轨对轨运算放大器,并用Specie仿真器对运放的各种性能参数进行了仿真.运放采用3.3V电源,输入共模电压和输出摆幅均达到了轨对轨,输入级跨导在整个输入共模电压范围内仅变化15%,直流开环增益为99dB,单位增益带宽为3.2MHz,相位裕度为59°(10pF负载电容),功耗为0.55mW.     

一种1.8-V Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计

文章设计了一种1.8-VRail-to-RailCMOS运算放大器。采用电平移位控制的互补差分输入级,实现了Rail-to-Rail的共模输入范围;由偏置在AB类的电流驱动的共源放大器构成输出级;为了能够处理宽的电平范围和得到足够的放大倍数,使用折叠式共源共栅结构作为前级放大。用CadenceSpectre仿真器,1.8V单电源供电,TSMC0.25-混合信号模型仿真,直流增益为80.18dB,相位裕度为65°,功耗336W。整个电路结构简单紧凑,适合于低电压应用。     

一种新型Rail-to-Rail运算放大器的设计与分析

提出了一种采用线性跨导输入级的Ｒａｉｌ－ｔｏ－Ｒａｉｌ运算放大器,输入级的跨导基本实现了与共模输入 电压无关,而只与工艺参数和工作电压有关。采用了复合晶体管的设计,使管ＮＭＯＳ和等效ＰＭＯＳ的电学参数一致,摈弃了由于ＰＭＯＳ及ＮＭＯＳ的不一致性而采取的补偿措施。输出级采用甲乙类ＣＭＯＳ结构,实现了输出的Ｒａｉｌ－ｔｏ－Ｒａｉｌ。     

一种基于衬底驱动的亚1V轨至轨运放设计

基于衬底驱动技术,本文设计了一种亚1V Rail-to-Rail运算放大器.在差分对衬底端加信号避开低压环境MOS管阈值电压限制,运用局部正反馈技术来增加增益和带宽.在0.8 V电源电压,18pf的电容负载下用Hspice仿真,结果表明:直流增益达74.1 dB,相位裕度为62o,单位增益带宽为4.56 MHz,输出范围达2.72～782.17 mV,失调电压仅为12 μV,功耗为144.2 μW.     

一种基于SOC应用的Rail-to-Rail运算放大器IP核

采用上华0.6μm DPDM CMOS工艺,设计实现了一种基于片上系统应用的低功耗、高增益Rail-to-Rail运算放大器IP核．基于BSIM3V3 Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真,在5V的单电源电压工作条件下,直流开环增益达到107.8dB,相位裕度为62.4°,单位增益带宽为4.3MHz,功耗只有0.34mW．     

一款低电压高精度CMOS运算放大器设计

设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。     

基于0.25μm CMOS工艺的1.8V Rail-to-Rail运算放大器

采用TSMC0．25μm CMOS工艺，设计实现了一种低功耗、高增益带有恒跨导输入级的Rail—to—Rail运算放大器。基于BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice对整个电路进行仿真，在1．8V的单电源电压工作条件下，直流开环增益达到108．6dB，相位裕度为57．2度，单位增益带宽为5MHz，功耗为0．23mW。     

1.5V低功耗Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于2μm标准P阱CMOS工艺,实现了一种1.5V低功耗Rrail-to-Rail CMOS运算放大器.本运算放大器采用两对跨导器作rail-to-rail输入级,并运用电流折叠电路技术,将最低电源电压降到VT+3VDS.sat.运放同时采用一种适合于低电压要求的对称AB类推挽电路作rail-to-rail输出级,获得了高驱动能力和低谐波失真.芯片测试结果表明,在100pF负载电容和1K负载电阻并联条件下,运放的静态功耗只有270μW,开环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了70dB,2.2MHz和60.     

轨到轨输入输出范围运算放大器的噪声分析和优化

这篇文章设计了一个轨到轨（Rail-to-Rail）输入输出范围的低噪声运算放大器,在输入级采用电流补偿的方法来稳定该运算放大器在整个输入共模范围内的跨导,在输出级使用了AB类的输出方法来提高运算放大器的输出范围,且详细分析了该运算放大器的噪声性能,在此基础上给出了改善该运算放大器噪声性能的方法,以此来提高该运算放大器的动态范围。     

低压低功耗模拟集成电路设计技术及展望

低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约。围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降低技术、组合晶体管技术、横向BJT技术、SOI技术等。分析并比较了各种设计方法的优劣;并对模拟电路低压低功耗设计技术的发展趋势进行了展望。