逆向反射镜光度测量

为了正确评价逆向反射镜的加工质量与使用效果，且将二者有机地统一起来，本文提出应根据测试目的来选择合适的光度测量方法，并进一步分析了不同测试目的将导致测量装置的组成、几何条件（距离，孔径角，工作姿态等）、光度条件（光源色温、稳定性与均匀性，接收器线性、灵敏度与光谱修正等）、测量参数（反光强度系数、逆反射系数、逆亮度系数等）等各不相同。     

椭球反射镜膜厚均匀性

本文分析了椭球反射镜膜层厚度均匀性对反射率的影响,从理论上得到膜厚计算公式。根据计算的膜厚分布设计了遮蔽板,获得较好的反射特性。     

Effects of reflectivity on laser-ablation resistance of the laser-cladding repaired Nd2O3 modified SiO2 coatings on C/C composites

To repair the damaged SiC coated C/C composites, a double-layer coating including a SiO₂-Nd₂O₃ external layer (∼60 μm) and a Si-SiC inner layer (∼240 μm) was prepared by a slurry-based laser cladding technique, and the laser-ablation tests under two heat fluxes (23.89/39.81 MW m⁻²) were performed. The spectrophotometer, X-ray diffraction, scanning electron microscopy and 3D profilometer were used for characterization. For avoiding the secondary damage of laser-ablation, the laser-reflection of the repaired area was enhanced, which was conducive to the mitigation of mass and linear ablation. Combined with Finite Element Analysis, by raising the reflectivity, the surface and back temperature of samples could be reduced greatly by 1224 K and 983 K respectively, and plenty of ablation reactions could be avoided. Therefore, the SiO₂-Nd₂O₃ coating possessed an excellent laser-ablation resistance and protected the C/C substrates from thermal damage and oxidation effectively.     

大功率半导体激光器腔面镀膜的理论研究

从平面波假设出发推导了多层薄膜的特性矩阵，得到了膜系的反射率计算公式。研究了腔面反射率对大功率半导体激光器的外量子效率、阈值增益和输出功率比的影响，并给出了整个膜系反射率随膜层的光学厚度、折射率差及其层数的变化趋势。该模型对半导体激光器的腔面膜层设计具有实际的指导意义。     

光纤端面多层膜反射率的干涉测量方法研究

应用干涉法实现光纤端面多层透明膜系反射率的测量，利用镀有反射膜的待测光纤端面，构成F－P干涉仪，根据透射光谱的自由谱宽和干涉峰的半宽值，计算出膜系反射率，可直接获得光纤端面上薄膜的真实反射率，并避免了光源波动对测量结果的影响，在用反射率为92％－98．6％的膜系所进行的实验中，测量误差小于－0．09％，分析了误差来源。     

InP中皮秒快速现象

利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命，观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ，掺锌ＩｎＰ中载流子寿命３８ｐｓ居中，掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心，这一结果已被喇曼光谱所证实。     

镀膜法获得的超辐射发光二极管的特性分析

在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜镀得好与不好的时候，最低反射处波长控制的准确性与最低反射率本身的大小都很重要；同时，也可以看到单面镀膜的ＳＬＤ振荡波长与增益峰值波长不重合的现象。     

用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延

用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．     

新型水泥基吸波材料的性能分析研究

通过三层设计,使新型水泥基吸波材料与空间波阻抗实现良好的匹配,并具有优良的电磁波损耗特性,测试了新型吸波材料的吸波性能和抗压强度。研究表明,该水泥基吸波板反射率均低于-5.9d B,最小反射率出现在4.5GHz,达-22.4d B;小于-10d B有效带宽为10.8GHz,占整个波段63.3%;水泥基吸波材料28d抗压强度为49.2MPa,较基准的降低了15%。     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。