InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发，利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构，比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果，为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

钝化边沿的制作及其对GaInP／GaAs SHBT性能的影响

利用光刻胶形成保护侧墙，用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单，不需要额外的绝缘介质作为掩膜，也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP／GaAs单异质结双极型晶体管（SHBT），并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比，结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性，对器件的高频特性无明显影响。