深亚微米SOIMOS器件研究与设计

利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序，详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压，饱和漏电流，电导，跨导等与工艺参数的关系，通过大量的模拟，计算，我们提出了小尺寸FD SOIMOSFET的设计方案，并根据该方案研制出性能优良的沟道长度为0.2 μm的SOIMOS器件。     

适合ULSI的深亚微米SOIMOSFET研究

文章通过对SOIMOSFET进行大量的模拟、计算，提出了一个新的SOIMOSFET模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级特理效应，该模型同时适用于数字电路和模拟电路的设计，模型计算结果与实际测试结果较吻合。     

SOIMOSFET二维数值模拟器的设计

介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用,精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。