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1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
2.
Fundamental Evaluation of Power Supply and Rectifiers for Wireless Power Transfer Using Magnetic Resonant Coupling 下载免费PDF全文
This paper provides a fundamental analysis of a power supply and rectifiers for wireless power transfer using magnetic resonant coupling (MRC). MRC enables efficient wireless power transfer over middle‐range transfer distances. MRC for wireless power transfer should operate at a high frequency in the industry science medical band, such as 13.56 MHz, because the size of the transfer device decreases at higher transfer frequencies. Therefore, the output frequency of the power supply on the transmitting side should be 13.56 MHz. In addition, the rectifier on the receiving side is operated at a high frequency. This paper focuses on the reflected power in the power supply and rectifiers. Thus, the parametric design method is clarified for the power supply, including a low‐pass filter to match the output, the impedance of the power supply with the characteristic impedance of the transmission line. In addition, the effects on the rectifiers of silicon carbide and gallium nitride diodes are confirmed by performing an experiment and a loss analysis. 相似文献
3.
本文从二极管箝位型三电平逆变器的基本结构出发,分析其输出状态,推导出六角形空间电压矢量图。然后从一种改进的,可以减小开关损耗,避免高的dv/dt三电平空间矢量PWM调制策略出发,建立了基于Matlab的详细仿真方案,验证了方案的可行性。文章给出了扇区判断的算法流程图,脉冲生成模块的内部结构图,其中的扇区判断的算法和脉冲生成方法对于用DSP实现三电平SVPWM具有重要的参考价值。 相似文献
4.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
5.
功率因数校正技术越来越成为电源行业研究的热点。文中介绍了适用于雷达等设备的250W带功率因数校正整流电源模块的设计,分析了其中升压电感器设计、主开关管保护、控制电路消振、散热设计和表面贴装等关键技术,完成了实验研究,获得了满意的试验结果。 相似文献
6.
7.
Recently, a demand for small-capacity generators has been increasing as electric sources in small ships and automobiles or as portable electric sources driven by engines. It is desired that the structure of small-capacity generators be simple and robust, and that the generators be highly reliable, easily maintained and controlled. This paper describes an analysis of the original brushless synchronous generator without exciter. The output voltage can be adjusted in the wide range by controlling the stator dc current. To analyze the characteristics of this generator, the finite element method is applied. It is found that the results of theoretical analysis agree well with the experimental results. 相似文献
8.
在传统异步电动机直接转矩控制方案中,由于负载的变化规律不可预测,因此其常会带来较大的开关频率的变化,为此提出了一种基于预前控制的异步电动机直接转矩控制的方法。该方法依据前一个周期的磁链和转矩误差,对下一个开关周期所应施加到异步电动机的定子电压矢量进行预测,然后借助空间矢量PWM的方法,合成此开关电压矢量。样机实验结果表明,该方案不但能维持逆变器的开关频率基本恒定,而且还具有比传统直接转矩控制更为优良的动静态特性。 相似文献
9.
10.