全文获取类型
收费全文 | 3604篇 |
免费 | 139篇 |
国内免费 | 111篇 |
专业分类
电工技术 | 223篇 |
综合类 | 121篇 |
化学工业 | 514篇 |
金属工艺 | 119篇 |
机械仪表 | 192篇 |
建筑科学 | 68篇 |
矿业工程 | 41篇 |
能源动力 | 322篇 |
轻工业 | 20篇 |
水利工程 | 19篇 |
石油天然气 | 202篇 |
武器工业 | 17篇 |
无线电 | 980篇 |
一般工业技术 | 626篇 |
冶金工业 | 178篇 |
原子能技术 | 46篇 |
自动化技术 | 166篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 19篇 |
2022年 | 47篇 |
2021年 | 57篇 |
2020年 | 78篇 |
2019年 | 43篇 |
2018年 | 25篇 |
2017年 | 59篇 |
2016年 | 73篇 |
2015年 | 84篇 |
2014年 | 189篇 |
2013年 | 161篇 |
2012年 | 190篇 |
2011年 | 254篇 |
2010年 | 203篇 |
2009年 | 210篇 |
2008年 | 154篇 |
2007年 | 203篇 |
2006年 | 225篇 |
2005年 | 157篇 |
2004年 | 142篇 |
2003年 | 120篇 |
2002年 | 139篇 |
2001年 | 94篇 |
2000年 | 111篇 |
1999年 | 99篇 |
1998年 | 131篇 |
1997年 | 127篇 |
1996年 | 116篇 |
1995年 | 73篇 |
1994年 | 34篇 |
1993年 | 30篇 |
1992年 | 40篇 |
1991年 | 35篇 |
1990年 | 44篇 |
1989年 | 26篇 |
1988年 | 37篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1976年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
排序方式: 共有3854条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
本文利用热力学第二定律(Yong) 的(exergy)分析法,对二氧化碳跨临界制冷循环系统进行了仿真和分析,分析显示:炯效率随着放热压力的变化而变化,其最大值出现在最优放热压力处,同时,本文还就气体冷却器口温度、蒸发温度及蒸汽过热度对系统Yong效率的影响进行了仿真和分析。 相似文献
3.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
4.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
5.
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
6.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
7.
DR是目前非常先进的X射线成像技术,将其X射线采集板工作温度控制在最佳工作范围可采集更好的图像。本系统采用PC和单独控制双模块分别控制温度,利用半导体传感器DS1620进行四路温度采集,通过单片机和PC串口通信,用PC通过半导体制冷芯片来控制X射线采集板的工作温度,在通信故障时也可以通过单独控制模块来控制采集板的温度。 相似文献
8.
CHENG Xiang 《半导体光子学与技术》2004,(4)
Amorphous carbon (a-C) films and amorphous carbon films incorporating with the nitrogen (a-C∶N) were deposited on silicon substrates in a radio-frequency driven plasma enhanced chemical vapour deposition system, while the surface electrical properties of films were investigated by electrochemical capacitance-voltage measurements. It was examined the effect of the interface defects on the properties and deduced that the conducting type of a-C∶N films was n-type. Subsequently, a comparative studies of a-C and a-C∶N films were performed by photoluminescence spectra depending on the temperature. With the decrease of the temperature, the main band with peak energy of 2.48 eV in the a-C∶N films was more intense compared with the other three bands caused by amorphous C in the a-C films. 相似文献
9.
本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。 相似文献
10.
用射线法导出了两段式激光器的输出谱公式,分析了外腔式半导体激光器的输出光谱,计算了ECLD被调二极管模式的不同波长处振时的阈值,获得了ECLD模式的波长表达式,讨论了二极管靠近光栅的一面的反射率的波长特性对输出的影响。 相似文献