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本文介绍了一种当前正在快速发展的微电子器件的新颖封装-圆片级封装(WLP)的定义,主要优缺点,焊盘再分布和植球等主要工艺过程等。 相似文献
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圆片级封装是一种先进的电子封装技术,近年来,圆片级封装技术的发展速度很快,主要应用于系统级芯片、光电器件和MEMS等.凸点制作是圆片级封装工艺的关键工序,目前凸点制作工艺方法有多种,重点介绍常用的电镀法、植球法和蒸发沉积法凸点工艺,分别介绍这三种凸点制作技术的工艺流程、关键技术. 相似文献
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圆片级封装技术 总被引:1,自引:0,他引:1
童志义 《电子工业专用设备》2006,35(12):1-6
圆片级封装(Wafer-LevelPackaging,WLP)已成为先进封装技术的重要组成部分,圆片级封装能够为芯片封装带来批量加工的规模经济效益。在圆片规模上开始加工,结束于芯片规模的圆片级封装技术将在面型阵列倒装芯片的封装中得到日益广泛的应用。圆片级封装加工将成为业界前端和后端之间的高性能衔接桥梁。综述了圆片级封装的技术及其发展趋势。 相似文献
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制作圆片级封装凸焊点的垂直喷镀机研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅圆片上,用该电镀机电镀制作出了合格的高度为17μm、间距为20μm的金凸点。 相似文献
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Implementation of PEC boundary condition for Laguerre‐RPIM meshless method with novel uniform nodal distribution
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The implementation of perfect electric conductor (PEC) boundary condition for meshless radial point interpolation method (RPIM) with the weighted decaying Laguerre polynomial (WLP) is investigated. A novel uniform nodal placement is proposed and the number of H‐nodes reduces to about a half of that for the conventional scheme. There are only E‐nodes scattered on the PEC boundary. The E‐node and H‐node have the same scale of support domain nodes. The image theory is adopted to update the implicit electric equations on the PEC boundary. This scheme is also suitable for nonuniform node distribution. Numerical results have verified the accuracy of the proposed method. 相似文献
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FC(倒装片)和WLP(圆片级封装)均要在圆片上制作各类凸点,它们与基板焊接互连后,由于各材料间的热失配可能造成凸点——基板间互连失效,从而影响了器件的可靠性和使用寿命。解决这一问题的通常做法是对芯片凸点与基板间进行下填充。本文介绍的柔性凸点技术是在焊球下面增加一层具有弹性的柔性材料,当器件工作产生热失配时,由于柔性材料的自由伸缩,将大大减小以至消除各材料间的失配应力,使芯片凸点与基板下即使不加下填充,也能达到器件稳定、长期、可靠地工作的目的。 相似文献
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概述了晶圆键合技术穴WB雪和微电子机械系统穴MEMS雪的新进展。介绍了晶圆键合工艺、技术要求、应用选择以及对MEMS的作用;展示了MEMS制造技术和应用前景。 相似文献
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微电子封装的新进展领域及对SMT的新挑战 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了几种微电子新型封装材料,如LTCC、AIN、金刚石、AI-Sic和无铅焊接材料等,论述了正在发展中的新型先进封装技术,如WLP、3D和SIP等,并对封装新领域MEMS和MOEMS作了简介.最后,就这些新技术对SMT的新挑战作了些探讨. 相似文献