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动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm^2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15min的氢氟酸和10min浓硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)在300W超声波条件下的新湿法清洗工艺,能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴. 相似文献
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硅化钨MIP工艺在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但硅化钨膜在后续的侧墙工艺中容易出现剥落问题现象。通过对硅化钨材料特性,以及与电路制造相关联工艺的深入分析,发现在一定温度下,硅化钨的表面会产生富钨硅化物,它与氧气反应时会形成氧化钨,从而造成硅化钨膜的剥落。为避免氧化钨的形成,从减少富钨硅化物的形成、降低钨化硅与氧气的反应温度,以及减少参与反应的氧气量三个方面着手,在大量工艺试验的基础上提出了一种能有效防止硅化钨膜剥落的优化工艺。 相似文献
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