氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)

通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构,且纳米结构的生长受温度影响很大。PL谱显示在388nm处有一强的紫外发光峰,表明其在低维激光器件方面的应用优势。同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论。     

合成鱼骨外形氮化镓纳米棒

通过氨化射频溅射工艺生长 Ga2 O3薄膜 ,在石英衬底上成功地合成了六方 Ga N纳米棒 .用 X射线衍射(XRD)、扫描电镜 (SEM)、高分辨率透射电镜 (HRTEM)和光致发光光谱 (PL)对生成的产物进行了分析 .合成的纳米棒中有部分一维线状结构表面有规则的突起 ,呈现鱼骨外形 .这种具有青鱼骨外形的纳米棒由六方单晶 Ga N纳米晶粒沿轴向错落排列而成 .室温下观察到 Ga N纳米棒的黄光发射峰发生了大尺度的蓝移     

碳化法原位成盐包膜提高CAC稳定性的研究

对无水氯化钙与液氨的反应产物的稳定性进行了研究,提出了改进ＣＡＣ稳定性新技术一碳化法原位成盐包膜技术。研究表明：碳化法原位成盐包膜可以较好地提高ＣＡＣ稳定性。包膜ＣＡＣ的最佳条件是：当ＣＡＣ呈膏状且不流动时通以流速为１２０ｍＬ／ｍｉｎ的ＣＯ２３－５ｍｉｎ对ＣＡＣ进行微粒包膜,经造粒后进行大颗粒二次包膜,二次膜后的ＣＡＣ的２５－３５℃范围可以较稳定存在,且包膜后的ＣＡＣ含氮量可以稳定在３１％以上。大     

硅基正六边形氮化镓纳米颗粒薄膜的制备,结构和形貌特性

本文通过在ZnO/Si(111)衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜.然后将硅基Ga2O3置于管武石英炉中,在850℃的氨化温度下氨化15min后,成功制备出GaN薄膜,该薄膜由正六边形的晶粒组成.X射线衍射(XRD)表明GaN具有六方纤锌矿结构,晶格常数为a=0.318nm和c=0.518nm.X射线光电子能谱(XPS)的测试确定了样品中Ga-N键的形成,并且Ga和N的化学计量比为1:1.用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察发现,样品表面非常光滑和平整.透射电镜(TEM)表明薄膜由正六边形晶粒组成.选区电子衍射(SAED)进一步验证了GaN薄膜的六方纤锌矿结构.最后,简单地讨论了其生长机制.     

合成鱼骨外形氮化镓纳米棒

通过氨化射频溅射工艺生长Ga2O3薄膜,在石英衬底上成功地合成了六方GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)和光致发光光谱(PL)对生成的产物进行了分析.合成的纳米棒中有部分一维线状结构表面有规则的突起,呈现鱼骨外形.这种具有青鱼骨外形的纳米棒由六方单晶GaN纳米晶粒沿轴向错落排列而成.室温下观察到GaN纳米棒的黄光发射峰发生了大尺度的蓝移.     

硝酸磷肥生产中副产品硝酸钙应用开发研究

本研究是以硝酸磷肥生产中的副产品硝酸钙的应用为前提,将其制成硝酸钙氨合物Ca(NO3)2.nNH3(简称CNN)作为高浓度氮肥使用。实验表明,合成的CNN中氨态氮含量22.78%,总氮含量35.08%。动力学研究表明,CNN的分解反应为零级反应,活化能为258.42×103J/mol,升高温度其分解速率加快。通过微囊化技术、外包及混合造粒都可以提高CNN的稳定性。