带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

简单介绍了带隙基准源的基本原理,给出了一款基于Widlar结构的带曲率补偿的带隙基准电压电流源的设计方法,通过采用TSMC₀.5μm工艺库对电路进行仿真,在-40～150℃的温度范围内,其带隙基准的输出具有12ppm/℃的温度系数,电流基准的输出具有42ppm/℃。此外,文中还对曲率补偿电路的工作原理进行了分析,并且通过仿真波形对曲率补偿的工作机制进行了讨论。     

气体压强对非晶InGaAs薄膜光学常数的影响

论述一种用透射谱包络线法计算非晶薄膜的折射率、消光系数和光学带隙的方法。通过正交实验确定除压强之外的工艺参数,研究压强的改变对薄膜主要光学常数的影响,运用最小二乘法、内插值法在matlab编程基础上,拟合出光学常数曲线,借由观察曲线的特点,分析在低工作气压下,气压的改变对光学常数的影响。     

二维全息光子晶体禁带展宽方法

讨论了二维复周期全息光子晶体禁带展宽的方法,二维复周期全息光子晶体可以使禁带成倍展宽.此外发现二维全息光子晶体中,除原来预期的禁带外,还出现了附加的禁带.当记录光波的入射角小于某个临界值,并且满足一定数值时,附加的禁带会使二维禁带进一步展宽;而当入射角超过临界值时,禁带会消失,这时禁带反而会变窄.这一现象对制作二维宽带隙光子晶体具有指导意义.     

含负折射率介质的一维光子晶体的带隙结构

提出了用正、负折射率介质层交替排列构成的一维光子晶体模型,并且用传输矩阵法计算了该模型的透射谱,从理论上分析了其带隙结构。发现负折射率介质层的引入导致了奇异的带隙特性:禁带很宽,禁带宽度2△ε／ε0趋于2,导带为没有振荡的尖锐峰;禁带宽度对折射率对比度和周期数的变化非常敏感。     

Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析

采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺，制作了N型6H—SiC肖特基势垒二极管，对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明，该器件具有很好的整流特性，反向电流小、击穿电压高，且在高温下器件波动很小，能够稳定地工作，适合于在高温(600℃)等恶劣环境下长期可靠地工作。     

一种高电源抑制能力低噪声的低压差调节器电路

提出了一种高电源抑制能力(PSR)、低噪声的低压差调节器结构。利用电流镜和压控电流源技术,消除一个低频极点,提高LDO系统稳定性。1 kHz时PSR可达到100 dB以上,1 MHz时PSR高于40 dB,最大电流输出能力为150 mA。另外,电路中具有启动电路和限流电路,可以有效地保证电路正常工作。基于TSMC 130 nm低功耗工艺流片,流片结果表明,芯片噪声特性良好。稳定性较高,并具有很高的电源抑制能力,有效地保证了系统指标。     

一种低温漂的高精度带隙基准源的设计与分析

根据基准源产生的基本原理、特性,综合温度补偿及电阻分压技术,设计出了一款能广泛应用于开关电源PWM控制器、隔离反馈发生器等的带隙基准源。该基准源电路基于6μm标准BJT工艺实现,仿真结果表明,当电源电压为15 V时,当温度为25℃时,VREF输出为5 V;当12 V≤VCC≤25 V时,线性调整率为0.16 mV;当1 mA≤I0≤20 mA时,负载调整率为1.61 mV左右;温度稳定性良好,大约为0.05 mV/℃。     

谐振式空心光子带隙光纤陀螺中的光克尔效应

谐振式光纤陀螺(PROG)采用空心光子带隙(HCPBG)光纤后,光克尔效应引入的系统漂移将会与普通单模光纤(SMF)谐振式陀螺系统中的有所不同。为了研究谐振式空心光子带隙光纤陀螺中光克尔效应的变化情况,采用光场叠加的方法,从理论上分析谐振式空心光子带隙光纤陀螺中的光克尔效应,同时针对光克尔效应引入的系统漂移进行了数值仿真,并且与普通单模光纤谐振腔陀螺中的光克尔效应进行对比。理论计算表明,采用空心光子带隙光纤的谐振式光纤陀螺比采用普通单模光纤谐振式陀螺的光克尔效应有明显的降低,在光源线宽不变时,不同光纤环长度对应的光克尔效应引起的旋转角速度漂移前者比后者降低了1~2个数量级。     

基于Rouard方法的一维光子晶体带隙结构计算

文章将广泛应用于薄膜光学和波导光栅理论计算的Rouard方法引入到一维光子晶体(PC)带隙结构计算当中,从物理光学的多光束干涉角度解释了光子带隙的产生原因.详细推导了Rouard方法的相关公式,并应用Rouard方法计算了具有不同结构特点的一维光子晶体的反射谱.计算结果表明Rouard方法是有效的,并且具有物理概念清晰、公式简洁的特点.     

光子晶体光纤的基本特性与应用

光子晶体光纤(PCF)独特的结构和导模机制使它具有了许多普通光纤所不具备的优越特性。根据不同的导模机理,分别论述了基于全内反射和光子禁带效应导光的光子晶体光纤的损耗、色散、非线性等基本特性,并探讨了它们的重要应用价值和发展前景。