增效过磷酸钙的增效机制及其对玉米生长的影响

利用猪毛、风化煤和腐植酸钠的水解液为增效剂制备了一种增效过磷酸钙,探讨了增效过磷酸钙的增效机制及其对玉米生长的影响。结果表明,蒸馏水浸提条件下,增效过磷酸钙能减缓水溶磷的释放,具备较高的pH值缓冲性。与普通过磷酸钙相比,增效过磷酸钙处理的玉米生物量平均增加了41.9%,吸磷量和吸钙量分别增加了61.7%和27.8%,根系活力增加了24.3%。该研究结果对过磷酸钙生产的技术改进具有指导意义。     

Extending SSD Lifespan with Comprehensive Non-Volatile Memory-Based Write Buffers

Journal of Computer Science and Technology - New non-volatile memory (NVM) technologies are expected to replace main memory DRAM (dynamic random access memory) in the near future. NAND flash...     

新一代IP QoS的实现

文章介绍了新一代IP骨干网上的IP QoS实现技术，论述了集成业务(IntServ)与差分业务(DiffServ)解决方案的特点，详细介绍了相关的队列管理与排队机制。并结合多协议标签交换（MPLS)技术的最新发展，阐述了综合多协议标签交换流量工程与DiffServ技术体系端到端IP QoS的实现。     

基于光纤环的光缓存器

提出了一种基于光纤环的光缓存器的结构,对结合半导体光放大器作光开关的此结构的物理模型进行了详细描述,并根据此模型分析了其增益、噪声、信噪比等方面的特性.     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

基于支持向量机的缓存预估模型的设计与实现

采用支持向量机(SVM)对网络业务流数据进行预测估计，通过训练样本，从而获得样本以外数据的分布规律。在此基础上，设计了一种网络排队队列缓存的预估模型。实验表明，该模型具有较高的训练效率和很高的估计精确度。     

一种低功耗Cache设计技术的研究

低功耗、高性能的cache系统设计是嵌入式DSP芯片设计的关键。本文在多媒体处理DSP芯片MD32的设计实践中，提出一种利用读／写缓冲器作为零级cache，减少对数据、指令cache的读／写次数，由于缓冲器读取功耗远远小于片上cache，从而减小cache相关功耗的方法。通过多种多媒体处理测试程序的验证，该技术可减少对指令cache或者数据cache20％～40％的读取次数，以较小芯片面积的增加换取了较大的功耗降低。     

TCP/IP网络的动态模型描述

拥塞现象成为TCP/IP网络发展面临的一个重要问题。因此，拥塞控制对TCP/IP网络的鲁棒性和稳定性具有重要作用。目前，网络拥塞控制策略主要包括两类：端到端的控制机制，如TCP拥塞控制算法；网络内部的主动队列管理(AQM)策略。但由于缺乏对网络系统动态特性的了解，这些拥塞控制策略大都基于专家经验，并没有建立完整的理论分析框架。为此，本文从数据流的角度出发，通过建立网络基本单元状态方程模型来实现IP网络系统的数学解析模型，然后用混杂系统来描述TCP带有拥塞控制策略的数据传输过程，建立了TCP/IP网络的动态模型，为网络系统中动态性能的分析、拥塞控制策略的设计奠定了基础。实验结果表明，该数学模型与NS仿真实验的结果相一致。     

CIMS装配和拆卸生产线的可靠性分析

本文对ＣＩＭＳ装配线和拆卸线的可靠性问题进行研究。文中分析了它们的运行状况，求出了两种生产线的稳态可用度，并用一个例子加以说明。     

Growth and characterization of GaAs films deposited on Ge/Si composite substrates by metalorganic chemical vapor deposition

We report the results of studies which have been made on heteroepitaxial layers of GaAs and AlGaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition on composite substrates that consist of four different types of heteroepitaxial layered structures of Ge and Ge-Si grown by molecular beam epitaxy on (100)-oriented Si substrates. It is found that of the four structures studied, the preferred composite substrate is a single layer of Ge ∼1 μm thick grown directly on a Si buffer layer. The double-crystal X-ray rocking curves of 2 μm thick GaAs films grown on such substrates have FWHM values as small as 168 arc sec. Transmission electron micrographs of these Ge/Si composite substrates has shown that the number of dislocations in the Ge heteroepitaxial layer can be greatly reduced by an anneal at about 750° C for 30 min which is simultaneously carried out during the growth of the GaAs layer. The quality of the GaAs layers grown on these composite substrates can be greatly improved by the use of a five-period GaAs-GaAsP strained-layer superlattice (SLS). Using the results of these studies, low-threshold optically pumped AlGaAs-GaAs DH laser structures have been grown by MOCVD on MBE Ge/Si composite substrates.