全文获取类型
收费全文 | 27篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 12篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 3篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
能源动力 | 1篇 |
无线电 | 26篇 |
一般工业技术 | 6篇 |
原子能技术 | 1篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 2篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
排序方式: 共有40条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
Thermal conductivity of gallium arsenic nitride (GaAsN) epilayer on gallium arsenide (GaAs) substrate prepared by molecular beam epitaxy technique was measured using pulsed photothermal reflectance technique. Three-layer model incorporated thermal boundary resistance was applied to extract the thermal properties from the sample's photothermal response. Within the thickness ranging from 20 to 80 nm, no thickness dependent relationship with thermal conductivity of GaAsN epilayer was found, and the average thermal conductivity is approximately 27 W/mK at room temperature. The thermal boundary resistance at the Au/GaAsN interface is in the order of 10−8 m2K/W. 相似文献
2.
CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性,观察到CdTe(211)B相对于GaAs(211)B向着[111]方向倾斜一个小角度(约3°),界面的四面体键网发生扭曲,由于晶格失配,在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了GaAs衬底中的Ga和As向CdTe外扩散的情况。结果表明:如果要在GaAs衬底上生长HgCdTe外延膜,必须先生长一层具有一定厚度的CdTe来阻止Ga和As向HgCdTe的外扩散和失配位错的延伸。 相似文献
3.
4.
5.
6.
1IntroductionTheGaSbsinglecrystalsareoftenusedasthesubstratematerialsforpreparingepilayersoflightemitingandlightdetectingd... 相似文献
7.
本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17~ 10 18cm-3 ,且过渡层分布陡峭 相似文献
8.
UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制 总被引:4,自引:1,他引:4
为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够实现在超净环境下低温、低压外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度为0.1~0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3,过渡区非常窄,达到了制备高频器件的要求;并在此基础上制备出了高频肖特基二极管原型器件,由I-V测试并经过计算,截止频率可达31 GHz. 相似文献
9.
碲镉汞外延材料缺陷的研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
通过对近年来的部分国外文献进行归纳分析,介绍了碲镉汞(MCT)缺陷研究的现状.与其他类似的半导体相比,MCT以其显著的优势成为红外焦平面(FPA)器件中最为常用的窄带隙材料.MCT外延层中的缺陷可能会影响光敏元的性能,降低MCT焦平面器件的可用性.衬底类型、衬底晶向和生长期间的衬底温度等因素对MCT外延层的质量有明显影... 相似文献
10.