Commitment-based device-pairing protocol with synchronized drawings and comparison metrics

This article presents a new method for pairing devices securely. The commitment-based authentication uses a fuzzy secret that the devices only know approximately. Its novel feature is time-based opening of commitments in a single round. We also introduce a new source for the fuzzy secret: synchronized drawing with two fingers of the same hand on two touch screens or surfaces. The drawings are encoded as strings and compared with an edit-distance metric. A prototype implementation of this surprisingly simple and natural pairing mechanism shows that it accurately differentiates between true positives and man-in-the-middle attackers.     

用CPLD实现SRAM工艺FPGA的安全应用

提出了一种利用CPLD产生的伪随机码来加密SRAM工艺FPGA的方法,并详细介绍了具体的电路和VHDL代码。     

基于MODBUS协议的激光雕刻切割系统HMI人机交互设备

近年来,国内激光雕刻切割控制器技术发展迅速,基于PC的传统控制器已相当成熟.为了显著提高工业生产效率,适应工业生产规模扩张的需要以及工业对系统稳定性要求的提高,目前国内几家专业运动控制器厂家已经实现了激光雕刻切割控制器的完全脱机运行.本文针对脱机控制器的需要设计一款人机交互设备,该设备采用AT89C55WD单片机为主控制器,采用标准的MODBUS协议实现HMI与脱机控制器的可靠通讯.     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

CCD型束流截面探测器

CCD型束流截面探测器的主要特点是使用电荷耦合器件做传感器,用束流同步光中的可见光成份做为信号源。该探测器同时具有模拟量和数字量两种输出,工作周期短,速度高,不影响束团粒子寿命,在电子储存环物理运行中,是一种有效的探测设备。     

基于VW2010芯片的嵌入式多媒体监控系统压缩/解压卡设计

在简要分析了多媒体监控系统发展现状的基础上，提出了一种基于VW2010压缩／解压芯片的多媒体压缩／解压卡的设计方案，给出了基于VW2010的多媒体监控系统压缩和解压卡的硬件结构图以及在Linux系统下VW2010的驱动程序，同时给出了在Linux Redhat7．3下编写的测试程序，并进行了全面的测试。     

浅论油液质量对机械设备运转的影响

通过分析润滑油、液压油的质量对设备运转的影响，提出了使用润滑油、液压油的几点建议。     

交变光源型位敏器件应用技术

在利用直流光源型半导体位敏器件（ＰＳＤ）进行测量时，常因环境光强的改变而引起误差。本文介绍的交变调制光源及其相应的ＰＳＤ光电信号处理电路，可大大地降低和消除杂散光对测量的影响。     

一种用于DS扩频信号非相干检测的差分延迟SAW相关器

本文介绍了用于ＤＰＳＫ调制的ＤＳ扩频信号非相干检测的一种ＳＡＷ器件的设计方法。对所研究的差分延迟功能均集于单一器件中。因为没有采用独立的延迟线，故消除了带限影响，ＤＰＳＫ解调器延迟支路无插入损耗。