用Tow-Thomas电路设计含有限非零传输零点有源滤波器的方法

Tow-Thomas电路是一种实现全极点滤波器的典型电路。本文给出了用Tow-Thoms电路设计含有限非零传输零点有源滤波器的方法，从而使Tow-Thomas电路可用于单片集成滤波器电路。而文中给出的公式可用于计算外接元件。设计实例表明了文中给出的计算公式的正确性。     

8098单片机在单相调压器中的应用

将8098单片机所特有的用软件来实现A/D,D/A及PWM信号输出的特性应用在模拟式移相电路中,展示了模拟式移相电路改造成具有智能化特点的一条有效途径。     

一种基于单片机的变电站控制保护系统的实现

以单片机８０３１ 为核心组成的采集、保护和通信模块，通过ＲＳ４８５ 的连接，与４８６ 工控微机构成了分布式３５ ｋＶ 变电站的自控系统，实现变电站的计量、保护和控制等功能，以达到变电站的无人值守或少人值守。     

钛掺杂硅胶块体吸附剂

以陶瓷纤维纸片为基材,顺次经水玻璃、酸性钛盐溶液浸渍共沉淀制得新型陶瓷基钛掺杂硅胶块体吸附剂.多孔介质表面分析显示:掺杂硅胶孔径在0.5～6 nm范围,以中孔为主.Fourier变换红外谱在波数954 cm 1处的特征吸收峰表明吸附剂中形成了Si-O-Ti键.根据掺杂前后固体魔角核磁共振硅谱中硅原子化学位移的变化(向高场方向移动)及X射线光电子能谱中各原子结合能的变化(Ti2p3/2的结合能随钛含量的增加而增加,而Si2p,O1s的结合能则呈相反趋势)进一步表明:钛原子替代硅原子进入硅胶网络.热重分析及烧结实验结果显示:钛掺杂吸附剂具有更好的热稳定性.新型吸附剂优异的吸附性能除了与其高的比表面积相关外,还与Ti-O键对水分子的亲合力紧密相关,其耐热性能增强与形成高热稳定性Ti-O Si键及材料表面导热性能提高有关.     

整体砌石重力坝运行期温度作用效应

重力坝因设置温度伸缩缝及体型较厚不需要考虑温度作用,而拱坝因不设永久性伸缩缝及体型较薄需要考虑温度作用.整体砌石重力坝由于其结构、施工和材料的特殊性,使它的特性介于重力坝和拱坝之间,存在能不能忽略温度作用效应的问题,这方面的研究较少,在规范中也未具体说明.基于此,运用拱坝温度荷载的计算方法以及等效模量法,对川南地区的狸狐洞整体式砌石重力坝工程实例进行有限元分析,分别探讨了温度场和温度应力场的数值大小和分布,得出了一般整体式砌石重力坝在运行期温度作用下的温度场和温度应力的规律,表明整体砌石重力坝运行期的温度作用效应较大.     

配钢纤维RPC永久柱模的RC框架抗震性能试验

目的为推广永久性建筑模板的工程应用,探讨钢纤维活性粉末混凝土（RPC）永久柱模对框架结构抗震性能的改善.方法通过对一榀配钢纤维RPC永久柱模的装配整体式钢筋混凝土框架在水平低周反复荷载作用下的拟静力试验,并基于该型框架结构的破坏特征、滞回耗能、变形及延性等性能,分析永久柱模对框架结构抗震性能的影响.结果试件具有显著的＂强柱弱梁＂破坏特征,滞回环面积较大,正、反向延性系数分别达4.44与6,具有较好的变形能力,极限点等效黏滞阻尼系数达0.21,耗能能力较强.永久柱模对核心混凝土有一定的紧箍作用,约束核心柱的横向变形.结论配钢纤维RPC的钢筋混凝土框架结构抗震性能良好,永久柱模的配置提高了框架的抗震能力,这种柱模具有良好的应用前景.     

基于keil C51实现对变极性等离子焊控制系统编程

Keil C51是一种结构化的语言，具有灵活，高效等优点，利用C51对变极性等离子焊控制系统编程表明，同汇编编程相比，整个程序可读性和结构化较好，算法的实现也较汇编语言简单，可完全满足变极性等离子弧焊设备对电流频率，正负半波导通比等参数的调节和控制的要求。     

USB控制芯片PDIUSBD12典型应用研究

该文首先介绍对PDIUSBD12的结构、原理和特性进行了简单介绍,给出了PDIUSBD12与AT89S51连接的电路原理图。以ATMEL单片机和PHILIPS公司的PDIUSBD12构成USB设备控制端,对PDIUSBD12芯片及应用进行研究。     

High power GaN‐HEMT SPDT switches for microwave applications

In this article, the design, fabrication, and on‐wafer test of X‐Band and 2–18 GHz wideband high‐power SPDT MMIC switches in AlGaN/GaN technology are presented. The switches have demonstrated state‐of‐the‐art performance and RF fabrication yield better than 65%. Linear and power measurements for different control voltages have been reported and an explanation of the dependence of the power performances on the control voltage is given. In particular, the X‐band switch exhibits a 0.4 dB compression level at 10 GHz when driven by a 38 dBm input signal. The wideband switch shows a compression level of 1 dB at an input drive higher than 38 dBm across the entire bandwidth. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2009.     

Minimizing Energy Barrier in Intermediate Connection Layer for Monolithic Tandem WPeLEDs with Wide Color Gamut

Perovskite light-emitting diodes (PeLEDs) show promising prospects in the wide color gamut display owing to their ultra-narrow full width at half maximum (FWHM). However, up to now, all perovskite white LEDs integrated by standard red, green, and blue perovskite emitters, namely, monolithic white PeLEDs (WPeLEDs), have been rarely reported, owing to facing some issues, e.g., solvent incompatibility in solution technique, ion exchange, and energy transfer between different emission centers. Herein, centered on these issues, an optimal intermediate connection layer (ICL) of Po-T2T/LiF/Ag/HAT-CN/MoO₃ is adopted to successfully develop monolithic tandem multicolor PeLEDs and WPeLEDs for the first time. The multicolor PeLEDs can achieve the best external quantum efficiency of 1.8% and the highest luminance of 4844 cd m⁻². Besides, the red/green/blue (R/G/B) monolithic tandem WPeLED shows a standard white International Commission on Illumination coordinate of (0.33, 0.33) and achieves an extremely wide color gamut reaching  National Television Standards Committee of 130%. This study is the first to realize the standard R/G/B co-electroluminescence in a monolithic perovskite device and offers a feasible strategy for developing wide-color gamut perovskite displays.