面向工程应用的单片机课程教学改革与实践

在分析传统单片机教学存在问题的基础上,提出面向工程应用,聚焦企业需要,构建能力递进、面向应用的内容体系,搭建资源共享、实践创新、师生互动的自主学习平台,组建培养兴趣,突出技能的“双师型”教学团队,实践表明,在传授知识的同时,能有效提升学习兴趣,优化人才素质结构。     

Influences of chip serration on micro-topography of machined surface in high-speed cutting

Saw-tooth chip changes from macroscopically continuous ribbon to separated segments with the increase of cutting speed. The aim of this study is to find the correlations between chip morphology and machined surface micro-topography at different chip serration stages encountered in high speed cutting. High strength alloy steel AerMet100 was employed in orthogonal cutting experiments to obtain chips at different serration stages and corresponding machined surfaces. The chips and machined surfaces obtained were then examined with optical microscope (OM), scanning electron microscope (SEM), and white light interferometer (WLI). The result shows that chip serration causes micro-waves on machined surface, which increases machined surface roughness. However, wave amplitudes (surface roughness) at different serration stages are different. The principal factor influencing wave amplitude is the thickness of the sawed segment (tooth) of saw-tooth chip. With cutting parameters in this study, surface roughness contributed by chip serration ranges from 0.39 μm to 1.85 μm. This may bring on serious problems in the case of trying to replace grinding with high-speed cutting in rough machining. Some suggestions have been proposed to control the chip serration-caused surface roughness in high-speed cutting based on the results of the current study.     

2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计

用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.     

串行16位DAC转换芯片在流量手操器中的应用

本文介绍串行16位D／A转换芯片MAX541及其与AT89C52单片机的接口电路、相应的转换子程序，并给出其在过程流量手操器中的应用。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

采用自动双探边器降低芯片漏测率

半导体芯片的检测是芯片生产企业生产过程中的重要环节，芯片在检测过程中，由于圆形硅片的结构特点而造成的漏测又是困扰芯片生产企业不可小视的实际问题。本文介绍了利用双探边器解决由于硅圆片结构所造成的漏测的有效办法及具体操作方法。     

CMOS光接收机主放大器设计

利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。     

单片机控制下液晶显示器的使用

介绍液晶显示器EDM12864B的原理及其在单片机控制下的简单应用。     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

基于EPF10K30的ISA接口设计

随着计算机技术日新月异的发展。计算机控制已经深入到了各个领域，特别是在工业控制领域，计算机通过ISA总线与接口电路进行通信，然后由接口电路去控制被控设备，从而完成预期的控制工作．