准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。     

单晶Bi纳米带的合成与表征

采用溶剂热方法,以苯乙烯为还原剂和配位剂,合成了宽度为40nm-60nm、长度为600nm-1μm铋纳米带,并对其反应机理进行了探讨。在铋纳米带的合成中,α-铋的层状结构是形成铋纳米带的关键因素。配位试剂在各晶面的吸附对产物的形貌具有重要影响。通过改变配位试剂与铋盐的质量比,可以实现对铋纳米结构和形貌的调控。     

氧化锡纳米带的制备和光致发光性能研究

采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理,氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能,结果显示,退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰,在375nm有一弱发光峰;退火处理后,375nm处的PL峰消失,此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。     

水热合成ZnO纳米带

采用水热法成功合成了ZnO纳米带。XRD谱表明该条带为六方晶系结构。格点对称群为P63mc（186），格点参数a=3．249A，c=5.5052A。SEM图表明该ZnO纳米带的长度大约为50μm、宽度为50-300nm。TEM图像表明该样品的生长方向为（0001）。详细地介绍了合成ZnO纳米板条的实验过程及生长机理。