首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   352篇
  免费   44篇
  国内免费   65篇
电工技术   23篇
综合类   22篇
化学工业   1篇
机械仪表   16篇
轻工业   1篇
武器工业   2篇
无线电   270篇
一般工业技术   9篇
原子能技术   30篇
自动化技术   87篇
  2024年   2篇
  2023年   4篇
  2022年   7篇
  2021年   6篇
  2020年   7篇
  2019年   5篇
  2018年   8篇
  2017年   18篇
  2016年   16篇
  2015年   20篇
  2014年   31篇
  2013年   27篇
  2012年   25篇
  2011年   34篇
  2010年   28篇
  2009年   24篇
  2008年   30篇
  2007年   45篇
  2006年   28篇
  2005年   28篇
  2004年   14篇
  2003年   14篇
  2002年   8篇
  2001年   4篇
  2000年   6篇
  1999年   5篇
  1998年   2篇
  1997年   3篇
  1996年   4篇
  1995年   2篇
  1994年   3篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有461条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm2 is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm2 array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall Vmin of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.  相似文献   
2.
一种计算机实时控制系统的分析及其DCS实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
简述了计算机实时控制及分布式控制系统(DCS)的一般特点.并以某型水下机器人的控制系统为例,详细介绍了一种小型实时DCS系统的具体实现。  相似文献   
3.
齐家月  骆晓东 《微电子学》1996,26(6):382-386
介绍了一种用于RISC单片机PIC16C57的寄存器堆,讨论了为降低功耗所采用的分块结构,详细说明了译码逻辑、SRAM单元、读/写电路和文件选择寄存器等电路的形式及其工作原理  相似文献   
4.
提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.  相似文献   
5.
不同的应用对存储器结构有不同的需求:在运行控制任务时,需要Cache匹配速度差异;在处理数据流时,需要片内存储器提高访问带宽.本文设计了一种基于SRAM的可配置Cache/SRAM存储器,通过数据存储器独立寻址,控制和数据通路充分共享,实现了一个四路组相连、容量为16KB的Cache和容量为16KB的SRAM.综合结果表明,该设计与普通Cache相比,延时仅增加0.035%,门数增加1.06%.  相似文献   
6.
提出了一种基于单端口SRAM的FIFO电路。此模块电路应用于视频图像处理芯片中,完成同步经过处理后产生相位差的亮度Y信号和色度U,V信号的功能。电路的逻辑控制部分用Verilog硬件描述语言作RTL描述设计,存储器电路用Memory Compiler编译生成的SRAM。利用NC—Sim作了仿真测试,实现了视频信号同步功能,在不增大存储器总容量的情况下完成了和用双端口SRAM构成的FIFO电路相同的功能。应用本电路的芯片已顺利完成了流片。  相似文献   
7.
多通道信号源是多路采集系统自检与测试系统的重要组成部分,为提高信号源的通用性,可靠性,可扩展性及小型化,结合PXI总线技术,设计出多通道信源卡;详细介绍了波形再生硬件模块,外部SRAM存储波形模块及满足设计要求边沿时间短的矩形波的软硬件设计,同时使用VHDL语言编写了数据通信协议模块,实现FPGA与计算机之间的正常通信。  相似文献   
8.
低功耗FPGA电子系统优化方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
首先与实测系统功耗进行对比,验证了Xilinx公司ISE软件包中FPGA功耗估算工具XPower的准确性。然后对FPGA设计中影响系统功耗的几个相互关联的参数进行取样,通过软件估算不同样点下的系统功耗,找到功耗最低的取样点,得到最佳设计参数,从而达到优化系统设计的目的。实验中通过这种方法,在一个FPGA读写SRAM的系统中,在单位时间读写操作数固定的条件下,选取了读写频率与读写时间占空比这两个参数来优化系统功耗。最终测试数据证明了该方法的正确性。  相似文献   
9.
龚健  刘继 《微处理机》2013,(5):66-69
设计了一种基于FPGA的轨道振动信号数字监测接收机,详细阐述了接收机的数据流走向及其振动信号频域分析的实现.设计中以Altera的cycloneⅢ系列芯片EP3c25Q240C8为硬件平台,以QuartusⅡ9.1为软件平台,数据存储缓存单元使用ISIS公司的IS61NLP102418,频域分析则使用1024个点的FFT,进行功率谱估计.  相似文献   
10.
介绍了一种基于双处理器和双口SRAM的高速图形LED屏的硬件和软件。该系统采用两片单片机分别负责显示扫描和图形变换 ,两者通过双口SRAM连接 ,实现高速图形显示  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号