硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

噪声测量作为筛选光电耦合器件的一种方法

本文针对目前用于光电耦合器件筛选方法的不足，提出了用测量耦合器件噪声功率谱的方法来筛选掉噪声值大的器件，给出一批光电耦合器件的测量统计结果及在不同工作点时的噪声功率谱，并给出相应的筛选标准，实验结果表明，这种方法是有效、可行的。     

用于光控相控阵雷达的空间光调制器

空间光调制器是光信息处理机的基本结构单元,它能根据电驱动信号或光驱动信号,随时修正与空间和时间有关的读出光束的偏振、相位和幅度.介绍了适用于光控相控阵雷达系统的空间光调制器,包括它们的结构、原理和性能.     

图象信息与光电子技术

本文阐述图象信息的重要性，说明它与光电子技术的关系，包括图象信息的获取、传输、存储与显示，展望了未来。     

地平式跟踪系统过顶问题研究

地平式光电系统过顶跟踪时需要很大的方位角速度,在目标通过天顶瞬间方位角速度达到无穷大,导致地平式系统在天顶附近存在跟踪盲区。为此,对天顶跟踪盲区进行了分析,提出盲区范围计算公式,并分析了天顶附近目标图像旋转问题。从软硬件两种角度提出过天顶跟踪目标的方法,即倾斜方位轴方法和程序引导方法,通过比较二者的优缺点给出具体应用范围。     

二芳基乙烯类光致变色化合物的合成及其光电性质研究

在氮气及-78℃条件下,合成了两种二芳基乙烯类光致变色化合物1,2-双(2-甲基-5-(4-N,N-二甲氨基苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯(Ⅰa)和1,2-双(2-甲基-5-萘基噻吩-3-基)全氟环戊烯(Ⅱa),通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、循环伏安法对其光谱特性和电化学性质进行了初步研究。在254nm紫外光照射下,Ⅰa和Ⅱa的氯仿溶液均由无色变为蓝色,最大吸收峰分别为620和570nm,在适当波长可见光照射下,均从有色态返回到无色态。通过UV-Vis光谱考察了这两种二芳基乙烯类化合物在溶液中的光致变色反应的动力学特征,实验结果表明,二芳基乙烯类光致变色化合物的闭环反应属于零级反应,开环反应为一级。电化学研究表明,在溶液中,Ⅰa和Ⅱa可发生不可逆的阳极氧化反应。     

最大平均相关高度的归一化模板在畸变目标识别中的应用

本文基于最大平均相关高度算法设计了一种归一化模板,解决了联合变换相关器的畸变目标识别问题。该方法通过对最大平均相关高度频域滤波器的控制参数优化,映射到空域获得初始模板,归一化后得到归一化模板。相比于初始模板,归一化模板大大提高了模板与待测目标的灰度相似性。仿真实验表明,该模板能有效增强待探测目标的相关峰亮度,在联合变换相关器上可实现对畸变目标的识别,其比例畸变容差为53%,旋转畸变容差为20°。通过实验,给出了畸变飞机的相关识别结果。     

光电跟踪转台有限元模态分析

为了分析计算光电跟踪转台的模态以及振型,利用ANSYS有限元分析软件计算了光电跟踪转台的3阶模态,分析了整体结构以及各部件之间的刚性连接,在计算固有频率时对结构进行了简化.通过对结构进行模态分析,得出该结构的固有频率与振型,得出了结构在此频率范围内受外界或自身激励的影响规律.计算结果表明:1阶固有频率为93.16 Hz,2阶固有频率为100.84Hz,3阶固有频率为105.71Hz;外界激励频率在10~60Hz,可以避免结构发生共振.     

试谈光缆通信的应用和发展

光纤通信因其具有损耗低、传输频带宽、容量大、体积小、重量轻、抗电磁干扰、不易串音等优点,备受业内人士青睐,发展非常迅速。目前,光纤光缆已经进入了有线通信的各个领域,包括教育卫生、邮电通信、广播通信、电力通信、石油通信和军用通信等领域。在此主要讲述我国光缆通信在网络中的应用。     

Calculation of photosensitivity of porous silicon with the cylindrical geometry of pores

The paper theoretically investigates a model of the photosensitivity of porous silicon with cylindrical pores in the condition of homogeneous generation of photocarriers. Dependences of the photoconductivity of a porous semiconductor on the velocity of recombination of nonequilibrium carriers at the surfaces of pores, radius of pores and average distance between them are analyzed. At large velocities of surface recombination the photoconductivity of porous semiconductor is shown to linearly decrease with increasing the pore’s radius. The article is published in the original.