平面并联机构工作空间的三维螺旋扫描CAD求解

针对平面并联机构无奇异位置工作空间求解困难、过程繁琐、计算量大等问题，提出了基于CAD求解平面并联机构工作空间的三维螺旋扫描方法。将[n]自由度平面并联机构分解成[n]条支链进行独立分析，得到每条支链下末端执行器的可达区域，再将所有支链可达区域取交集即为平面并联机构工作空间。应用SolidWorks软件建立平面并联机构模型，进行几何特征处理，通过自动求解器求解，将求解过程图形化，快速得到同轴布局5R机构和平面3-RPR并联机构的无奇异位置工作空间。通过同轴布局5R机构的运动学实验，验证了该求解方法的可行性。     

平面阵列波导光栅波导模式参量的分析

用周期波导的方法分析平面阵列波导光栅(AWG)的本征方程及波导模式参数,结果表明波导传播常数是带状分布的,与波导间隔有关。分析结果对器件的优化设计有一定的指导意义。     

2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计

用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.     

CMOS光接收机主放大器设计

利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

螺旋焊管在线自动测径装置

螺旋焊管在线测径是生产高标准焊管的重要检测装置，可以实时监控钢管管径。选用CCD传感器与计算机连接，组成钢管测径装置，能够较好地达到对钢管管径实时监控的目的。     

济钢转炉煤气储存加压系统存在缺陷及处理措施

济钢燃气厂针对济钢转炉煤气储存加压系统的设备现状，组织了一次设备大修，大修后煤气柜升降速度提高到了1．0m/min，并解决了加压机前负压等问题。     

Highly oriented star-like patterns observed on GaSe epilayers grown on Si(111)

Epitaxial lamellar gallium selenide (GaSe) semiconductors have been grown on trench-patterned silicon (Si) substrates by molecular beam epitaxy. An intriguing star-like patterned morphology was identified by atomic force microscopy on these epilayers. This non-trivial feature can be correlated with the accumulation of stacking faults of two concurrent epitaxial domains around self-oriented triangular pits developed earlier on the Si(111) surface by the chemical etching. Crystallographic considerations show how the stars can be formed.     

大型储罐基础非平面倾斜问题的探讨

大型储罐因基础产生非平面倾斜而影响其正常使用的情况在工程中时有发生,文章通过对某油罐工程中基础沉降观测结果的分析,探讨了储罐基础产生非平面倾斜的原因。相邻储罐之间的相互影响、充水预压未达到规范要求以及地基处理措施不当是引起储罐基础非平面倾斜的主要因素。针对相邻储罐间的相互影响,根据现行《石油化工企业设计防火规范》和《石油化工企业钢储罐地基与基础设计规范》的规定,提出以下建议:储罐布置的净距除应满足防火规范规定外,有条件时也应适当考虑对基础沉降的影响,当采用复合地基时,相邻储罐间的净距不宜小于0.6 D;当占地面积成为主要矛盾,储罐间的净距只能限制在防火规范规定的最小范围时,在地基处理时就应采取有效措施,以尽可能减少相邻储罐的相互影响。     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。