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文章提出了一种宽带注入锁定三倍频器。在传统注入方式基础上,倍频器采用了推-推差分对输入信号进行二倍频,并将产生的二次谐波通过变压器耦合至注入管的源极共模点,增强了注入管源极共模点二次谐波。由于注入电流是由注入信号与源极共模点二次谐波进行混频而产生,因此注入电流也被增强,从而增大了锁定范围。除此之外,三倍频采用了四阶谐振器,谐振阻抗的相位在过零点被平坦化,锁定范围进一步被增大。采用标准CMOS 65 nm工艺设计三倍频,芯片面积为720×670 μm2,1.2-V供电时的功耗为15.2 mW。0 dBm注入功率下三倍频的锁定范围为19.2~27.6 GHz,对应的基波抑制比大于25 dB,二次谐波抑制大于35 dB。注入锁定三倍频器可满足5G收发机中本振源的要求。 相似文献
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60GHz宽调谐范围推—推压控振荡器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器(VCO)设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控振荡器核心和缓冲放大器分别消耗2.43mW和2.95mW。在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-90.7dBc/Hz。输出功率为-2.92dBm。特别的,压控振荡器的调谐范围达到9.2GHz(15.3%),与调谐范围相关的性能指标FOMT为-182.7dBc/Hz。该压控振荡器可应用于57GHz~64GHz开放频段超高速短距离无线通信。 相似文献
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为了满足现代通信系统对于高频率与高稳定性信号源的需求,提出一种K波段介质振荡器。该振荡器通过推-推结构将两路子振荡器合二为一,使其能够在一个电路中同时实现振荡器和倍频器。在介质谐振器的两条耦合微带线上增加变容二极管模块,通过改变变容二极管的偏置电压调整谐振器中传输信号的相位。变容二极管模块的加入能够有效降低有源器件不一致性对电路的影响,减少两个子振荡器在基频处对输出信号的干扰,同时让振荡器获得200 MHz左右的输出信号频率可调范围。测试结果表明:在输出频率为20.96 GHz时,输出功率约为-4.59 dBm,在10 kHz时达到-66.50 dBc/Hz的相位噪声,在100 kHz时达到-94.31 dBc/Hz的相位噪声,基波抑制度达到-25.42 dBc。 相似文献
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In this paper, we present a 60 GHz substrate-integrated waveguide fed-steerable low-temperature cofired ceramics array. The antenna is suitable for transmitting and receiving on the 60 GHz wireless personal area network frequency band. The wireless system can be used for HDTV, high-data-rate networking up to 4.5 GBit/s, security and surveillance, and similar applications. 相似文献
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Yao Hongfei Wang Xiantai Wu Danyu Su Yongbo Cao Yuxiong Ge Ji Ning Xiaoxi Jin Zhi 《半导体学报》2013,34(9):095006-6
设计了基于1um磷化铟双异质结晶体管工艺的W波段二倍频器单片电路. 采用有源巴伦将单端输入转化为差分输出. 在推推结构的输出口端接谐振网络, 提取二次谐波. 多级差分结构提高倍频增益, 抑制基波频率. 该单片电路集成了18个双异质结晶体管, 芯片面积为 0.55毫米×0.5 毫米. 测试表明在75GHz到80GHz频率范围内, 输出功率大于5.8dBm, 基波抑制大于16dBc, 倍频增益大于4.7dB. 相似文献
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文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析。根据分析结果制作了8GHz~12GHz压控振荡器。测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果。推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力。这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义。 相似文献
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推-推压控振荡器的仿真设计 总被引:3,自引:0,他引:3
在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段推-推压控振荡器,采用封装硅晶体管及砷化镓变容管,在1GHz调谐带宽内,输出功率2~8dBm。 相似文献
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