MEMS 静电执行光开关的设计与实验

介绍了一种基于静电执行的自对准型垂直镜面微机械光开关，该光开关由垂直反射镜面、悬臂梁、光纤定位槽等组成。微反射镜和V型光纤定位槽的自对准由同一块掩膜板实现。微反射镜和V字型光纤槽通过对(100)单晶硅的各向异性腐蚀实现。论文给出光开关的结构设计，并实验验证了上述自对准光开关的加工工艺。     

基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件

采用干/湿法腐蚀相结合技术，利用氢氧化钾（KOH）溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀，研究自对准Si/SiGe HBT台面器件，获得了fT＝40GHz，fmax＝127.1GHz的结果．     

基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件

在模拟集成电路的应用中，不仅注重器件fT，而且注重晶体管最高振荡频率（fmax）．文中以MBE生长的SiGe材料为基础，进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究，研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发，利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构，比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果，为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻

采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。