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基于 CPU 和 DDR 芯片的 SiP 封装可靠性研究 总被引：1，自引：1，他引：0
利用 Abaqus 有限元分析方法分析了温度循环条件下 CPU 和 DDR 双芯片 SiP 封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对 SiP 封装体应力应变的影响。结果表明，底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受最大的应力应变。芯片越薄，SiP 封装体所承受的应力越大；粘结层越薄，SiP 封装体所承受的应力越小。塑封体的材料属性比粘结层的材料属性更显著影响 SiP 封装体应力应变，当塑封体的热膨胀系数或杨氏模量越大时，SiP 封装体所受应力也越大。 相似文献
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