一款深亚微米ASIC芯片的后端设计

采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使芯片版图设计师需深入介入物理设计,选用有效的EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Cadence公司Soc Encounter后端工具对基于0.18μm工艺的ASIC芯片后端设计过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题,以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。     

百万门系统级芯片的后端设计

采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使百万门级芯片版图设计师需深入物理设计,选用有效EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Synopsys公司Astro后端工具对一款百万门级、基于0.18μm工艺SoC芯片后端设计的过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。     

用Ferron法研究掩蔽铝(III)盐水解液的组成

以Ferron计时比色法分析了柠檬酸盐、酒石酸盐和醋酸盐掩蔽硫酸铝溶液在多种用量比(n(有机酸)/n(铝))和溶液pH值条件下体系的组成分布,并结合27Al-NMR测试结果进行分析,结果表明,掩蔽后的硫酸铝水解溶液体系中的组成与未掩蔽的基本特点有相近之处,即主要由单核铝(III)配合物,大分子多核及2～4核低聚铝(III)配合物,以及高度聚合的胶体微粒组成,但溶液pH值和掩蔽程度明显影响各组份的比例,特别是前者。在制革生产可能的pH值范围内,即pH值=2.5～4.0,c(Al3+)=0.1mol/L,陈放24h后的掩蔽铝(III)配合物溶液中,高度聚合的胶体微粒的量极少。pH值≤1.0时,单核铝(III)配合物可达100%,pH值=3.0～4.0之间时,大分子多核铝(III)配合物含量有一个突跃,当pH值≥4.0时,溶液中绝大部份是大分子多核铝(III)配合物。     

武汉某超高层建筑动力特性及地震反应分析

以武汉市一幢结构高175.55 m,地上55层,采用钢筋混凝土剪力墙的超高层建筑为研究对象。通过使用有限元软件Etabs,分析该建筑的结构动力特性,确定振型分解法的合理振型参与数,以及通过弹性时程法分析在最不利地震波作用下该结构的地震反应。