STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

青海省桥头电厂河子沟灰场拦洪坝粘滞流模型试验分析

本文采用粘滞流模型试验对青海桥头电厂河子沟灰场拦洪坝设计方案进行了论证，分析了多种防渗条件下的渗流场特点，提出了满足工程运作的既经济又合理的建议。     

木桩固基卵石换填法处理淤泥地基施工技术

木桩固基卵石换填法处理淤泥地基可以大幅减少卵石换填层厚度和换填量,采用该方法对渭南市涧峪水库城市供水应急工程中淤泥地基进行了处理,结果表明:工程基槽开挖量、管槽回填量和换填材料用量均大幅减少,软基处理效果好,取得了良好的经济效益和社会效益。     

浅析地下管线施工过程各专业间的科学协调

地下管线综合部署是火力发电厂总布置的重要组成部分之一.厂区地下管线综合布置应与总平面布置、管线之间竖向布置,以及交通运输与绿化设施统一考虑,使厂区内沟道与沟道之间、沟道与管线之间、沟道与道路之间、沟道与各建（构）筑物之间在平面及竖向上科学协调,紧凑合理,减少后期设计与前期设计的矛盾,使人力、物力、财力得到充分的利用,既有利于安全文明生产,又方便日后维护维修.     

开沟布线问题的模型及算法研究

开沟布线问题定义为由最短路径树和最小生成树这两个问题组合而成的组合优化问题,是一个新提出的、易于描述的却难于处理的NP完全问题.该文将图论、组合优化以及CNRP等技术相结合来对开沟布线问题进行了探索和研究,在指定一些约束的基础上建立的的数学模型较准确的描述了开沟布线问题的实质.给出了求解该问题的最直观简单的方法SP-MST求解法.并引入邻域搜索策略,在CTPHERUR1算法的基础上,提出了基于2-交换邻域搜索的改进算法,实验表明,该算法得到的近似解更接近最优解.     

一种折叠式地沟盖板的设计与应用

通过介绍一种折叠式、收纳占用空间小的地沟盖板的设计与应用,阐明了未设置盖板的早期冷轧机运卷地沟、及长而狭小的收纳空间地沟盖板架设的一种思路。     

短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

Stability of long trench in soft soils by bentonite-water slurry

A series of centrifuge model tests exploring the effects of different types of slurry on long-trench stability in soft clay were conducted. The influence of groundwater conditions relative to trench stability was examined by constructing long trenches using different slurries. The soil deformation and surface settlement induced by the excavation of the trench are found to be closely related to slurry type and excavation depth of the long trench. Increasing the bentonite concentration of the slurry has beneficial effects on stability： 1） larger particles can improve local and global stability in cases where filter cakes do not form, and 2） larger viscosity can promote filter cake formation on the walls of long trenches excavated in soft clay and enhance their stability.     

4 500 V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制

为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件,对4500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系。根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500 V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证。验证结果显示：4500 V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化。     

小口径长输管道高地下水位段单侧沉管施工技术

为了解决高地下水位段由于地表承载力差,采用传统的沟上组焊吊装下沟的施工方法难度较大的问题。笔者结合沙漠段沉管下沟的方法在工程中的应用,在高地下水位段采用单侧沉管下沟的施工工艺。工程实践结果表明,该工艺成功解决了高地下水位段小口径长输管道施工面临的困难,极大地提高工程进度的同时保证了施工安全且减少了项目成本,可为同类地区的管道施工提供借鉴。