中科院物理所研究发现新型纳米电子材料

氮化硼(BN)作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，BN纳米管通常表现出稳定一致的电学特性，在未来的纳电子学领域有着非常诱人的应用前景。而实现BN纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料在纳电子学领域应用的关键，也是研究者普遍感兴趣和追求目标。     

全国储能“十三五”规划重大课题研讨会在电工研究所召开

<正>2015年2月13日,由中科院电工研究所承办的全国储能"十三五"规划重大课题第一次研讨会在电工所召开。中国化学与物理电源行业协会、电子科技集团十八所、中科院物理所、电科院、清华大学、全国工商联新能源商会等20余家单位参会讨论。本次会议围绕储能技术和产业发展目标、任务和布局研究、边远地区储能技术应用和商业模式研究、分布式可     

中国真空学会第八届理事会第一次会议召开

<正>2014年11月8日,在广州召开了中国真空学会第八届理事会第一次全体会议。会议由复旦大学校长许宁生院士主持,选举新一届常务理事会成员,以及新一届理事会理事长、副理事长、秘书长等。到会理事114人,会议通过了《中国真空学会第八届理事会常务理事选举办法》,通过了陶梦副理事长担任监票人。发出114张选票,收回114张选票,有效票110张,选举有效。48位候选人全部当选为第     

中科院物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底

碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本,下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求,目前国际市场上已有6英寸(150mm)产品,预计市场份额     

新型类石墨烯二维晶体材料——锗烯的研究获进展

正中国科学院武汉物理与数学研究所曹更玉研究组与中国科学院物理研究所高鸿钧院士研究组合作,在新型类石墨烯二维晶体材料——锗烯的制备研究方面取得新进展,相关研究结果与中科院物理所以共同第一作者单位合作发表在Advanced Materials(2014,26,4820)杂志上。近年来石墨烯研究在世界范围内掀起热潮。到目前为止,研究人员已相继制备出     

长春光机所研制成功了980nm高功率垂直腔面发射激光器

长春光机所与中科院物理所共同承担的创新项目“980nm高功率垂直腔面发射激光器”已通过成果鉴定。 在该项目的研究过程中,科技人员对高功率垂直腔面发射激光器的结构进行了优化设计,攻克了一系列关键工艺技术,在980nm高功率垂直腔面发射激光器研制方面取得了突破性进展;在     

《美国材料基因组计划战略规划》要点解读会

正2014年9月20日晚8:00,西安绿地假日酒店翠玉山会议室,汇聚了来自国家基金委、上海大学、中科院物理所、电子科技大学、中国工程物理研究院、北京科技大学、西北工业大学、清华大学深圳研究生院等多家单位从事及关注材料基因组计划的专家学者。在"2014新材料国际发展趋势高层论坛之材料基因组计划研究进展论坛"召开前夜,由中国工程院陈立泉院士主持了美国2014年6月发布的《材料基因组计划战略规划(征求意见稿)》宣贯会议。全面解读了美国自2011年宣布"材料基因组计划"(MGI)实施3周年以来所取得的里程碑式进展及未来的战略规划部署。中国科学院张统一院士、王崇