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1.
田敬民 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):284-288
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型. 相似文献
2.
多层薄膜结构气敏效应研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在SnO2气敏薄膜层上覆盖一层或多层钝化材料(SiO2,Al2O3) 薄膜,制成的多层膜气敏元件,可很好地排除大分子气体如乙醇等对小分子H2检测的干扰,使其具有单独检测H2的功能。本文还通过测量元件的升温曲线,推导出敏感体表面的氧吸附活化能;找出活化能与灵敏度、选择性的关系。根据实验现象和物性分析结果,试着探讨了元件的敏感机理。 相似文献
3.
4.
5.
SnO2光敏,气敏元件的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了用常压蒸发法制备的SnO2薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。 相似文献
6.
湿化学法制备纳米ATO导电粉 总被引:19,自引:0,他引:19
采用非均相成核法 ,在Sn(OH) 4 晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH) 4 ,制备纳米ATO粉末。以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响。以TG DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程 ,XRD显示为四方金红石型结构 ,平均粒径为15nm。当Sb/Sn(mol比 ) =0 .0 5 ,pH =2 ,T =60℃ ,SnCl4=1.2~ 1.8mol·L-1时 ,粉体电阻小于 0 .5Ω。 相似文献
7.
本给出用等离子化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO2/Fe2O3双层薄膜结构的俄歇谱(AES)剖面分析、透射电镜(TEM)断面形貌和扫描电镜(SEM)表面形貌的实验研究结果。AES剖面分析和TEM断面形貌图显示在SnO2与Fe2O3界面区有一个约35nm厚的过渡层存在,其质地松散。实验还发现这个界面过渡层的存在缓解了层间应力,增强了SnO2薄膜的附着力,对该双层膜的气敏特性有明显的控制作用;但当SnO2层厚大于270nm时,其控制作用几乎完全消失。 相似文献
8.
掺镉纳米SnO2的热稳定性,电导及气敏性能 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了CdO掺杂对纳米SnO2粉料的热稳定性,电导及气敏特性的影响。结果表明,以非晶状态均匀分散在SnO2颗粒表面的CdO能阻止SnO2之间的相互扩散,提高了纳米SnO2的热稳定性;固溶于SnO2昌粒中的CdO量(Cd/Sn〈0.05)很小,但对元件的电导影响显著;纳米级的晶粒尺寸(〈6nm)及CdO的掺杂大大改善了SnO2的气敏特性。 相似文献
9.
采用液相氧化法制备二氧化锡纳米颗粒,并利用浸渍法制备Pd负载二氧化锡纳米材料,通过丝网印刷得到气敏传感膜并在其表面印刷分子筛层。基于动态气敏测试系统探究传感器对甲烷气体的灵敏度及其在CO和乙醇干扰气体下的选择性。研究结果表明,在Pd-SnO2敏感层表面印刷Pd-HZSM5层后,传感器对甲烷的响应能力显著提高,并且在体积分数为5×10-4的CO存在时,对甲烷的选择性也得到明显的提升。同样,在质量分数为2×10-5乙醇的存在下,传感器对甲烷的响应也没有受到干扰。通过对分子筛进行表征和催化分析,发现Pd-HZSM5对CO的催化效率可达100%,使得CO在扩散过程中被催化氧化,这可能是印刷Pd-HZSM5分子筛膜从而提高传感器选择性的主要原因。同时研究还表明,在敏感层表面印刷分子筛层并不会影响传感器的响应和恢复速率。 相似文献
10.
1 INTRODUCTIONCrystallineSbdopedtinoxide (ATO) ,cassiteritestructure ,isawidebandgapn typesemiconductor.Be causeofitsopticalproperty (transparentforvisiblelightandreflectiveforIR )andelectroconductibility ,goodchemicalandmechanicalstability ,ithasmanyapplica tions,suchastransparentconductiveelectrodes ,photo voltaicdevices ,photosensors ,catalyst,antistaticcoatingsandelectrochromicmaterials[14 ] .AvarietyoftechniqueshavebeenusedtoprepareATOsuperfinepowders ,someinvolvedryprocesses ,ot… 相似文献