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1.
2.
采用SBR装置,进水COD/ρ(TN)为7,以厌氧-好氧-缺氧(A/O/A)的运行模式实现同步亚硝化反硝化(SPND)。为解决SPND工艺中除磷问题,实验在进水中额外添加一次乙酸钠,强化厌氧释磷后排出富磷上清液。当除磷效果消失时,依照第1次的方法再一次强化除磷。结果表明,强化后出水PO_4~(3-)-P的质量浓度小于0.5 mg/L,其持续时间分别达2 d和16 d,PO_4~(3-)-P平均去除率分别为95.8%±0%、96.7%±3.7%;NH_4~+-N和TN的平均去除率分别为99.5%±1.6%和97.2%±2.3%。强化后微生物多样性增加,丰度大于1%的菌属增加8种。聚磷菌(PAOs)丰度由3.74%增长至4.04%,聚糖菌(GAOS)丰度由8.63%降至4.37%。  相似文献   
3.
研究了轧制变形量对WSTi544221合金棒材显微组织和力学性能的影响,并对Φ10 mm规格的棒材进行不同制度的固溶+时效处理,对比了不同热处理状态下棒材的组织和力学性能。结果表明,随着轧制变形量的增大,WSTi544221合金棒材的晶粒细化程度增大,强度逐渐提高,但塑性变化不大。经870℃×1 h/WC+520℃×6 h/AC固溶+时效处理后,强度与塑性可以获得良好匹配,当抗拉强度达到1 610 MPa、屈服强度达到1 531 MPa时,延伸率和断面收缩率可分别保持在12%和43%。  相似文献   
4.
王振超  柳稼航  盛庆红  吴昀昭 《红外与激光工程》2020,49(5):20190460-20190460-5
月球表面没有大气层的保护,岩石矿物长期在太空风化的作用下,逐渐演化为月壤。太空风化过程是月壤产生、成熟的过程,由于物质形态结构的改变,导致月表光谱特征产生变化。因而,作为风化产物的月壤的光谱特性,包含了月表的太空风化信息。月壤成熟度,是描述太空风化程度的重要指标,利用高光谱遥感数据进行亚微观铁(SMFe)的反演进而获取月壤成熟度,是目前研究月表太空风化的主要手段。原位探测数据,由于没有受到其他因素的干扰,获得的反演结果相对更加准确、可靠。我国嫦娥四号(CE-4)玉兔二号巡视器搭载了能直接获取月表原位高光谱数据(450~2395 nm)的科学载荷红外成像光谱仪,为研究月表的太空风化提供了很好的机会。选取了CE-4卫星着陆器登陆点附近的两处光谱数据,采用Hapke模型和光谱角匹配法对CE-4卫星登陆点附近月壤的SMFe进行了反演。根据Morris模型和FeO含量进一步反演CE-4卫星登陆点附近月壤的成熟度。结果表明,该处月壤成熟度为11.5,较大概率为不成熟月壤。  相似文献   
5.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。  相似文献   
6.
2003年2月,上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0.18微米半导体工艺,具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定:属于同内首创,达到了国际先进水平,是中国芯片发展史上重要的里程碑。  相似文献   
7.
殷锦捷 《染料工业》1996,33(2):22-24
以亚甲基蓝为原料,经还原,酰化生成BLMB。本文介绍了合成方法及产品用途。  相似文献   
8.
9.
目前,一些小草浆厂为了减轻蒸煮废液对土壤和水源的污染危害,采用了亚铵法制浆,并将蒸煮废液用作农肥。但亚铵法蒸煮对生产设备有一定腐蚀,为了防腐,一般在亚铵蒸煮液中添加过量氨水以提高pH值。由于氨的气味大,掌握也较难,有的企业在蒸煮液中添加烧碱或纯碱作为缓冲剂。这样虽较易控制,但给蒸煮废液中带入了大量钠离子,以此用作农肥是不利的。本文介绍的采用氧化镁作为亚铵法蒸煮液的缓冲剂蒸煮红麻浆,取得了较好效果。估计用于麦草等其他草类浆的蒸煮,也可以取得类似效果,希望能引起亚铵法草类浆厂的重视。  相似文献   
10.
通过电镀法制备片状磁性吸收剂,用SEM、XRD等手段对其进行表征。用网络分析仪测试了不同工艺条件下吸收剂样品2~18GHz的电磁参数,并结合晶粒尺寸因素研究了不同工艺条件下对吸收剂电磁参数的影响.结果表明,不同的工艺条件对吸收剂电磁参数的影响具有规律性,可通过合理配置工艺参数来提高吸收剂的吸波性能。  相似文献   
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