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1.
2.
用反应溅射法在Ar+N2混合气氛中制备了软磁性铁氮膜,并对样品进行了真空退火热处理。考察了制备条件和热处理对铁氮膜的微结构和软磁性能的影响。发现氮气的加入导致了晶粒尺寸减小和软磁性能改善,还能抑制热处理过程中的晶粒生长。 相似文献
3.
4.
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。 相似文献
5.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献
6.
直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构,随氮气分量由5%至30%增加,玻璃衬底上的氮化锆薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向;然后(200)取向逐渐消失,只有(111)单个优化生长取向;最后,没有衍射峰出现,薄膜趋于无定型结构。 相似文献
7.
用反应磁控溅射的方法制备了MgO薄膜,基于原子力显微镜观测,并借助Fourier变换,计算了薄膜表面形貌的分形维数。发现分形维数变化对应于薄膜溅射模式的变化,二者之间有相关性,氧分压30%的分形维数是一个临界点,分形维数若发生明显跌落,意味着溅射模式发生变化,界于临界值两侧的分形维数,分别对应两种截然不同的溅射模式,与临界值对应的溅射状态则处于金属模式和氧化物模式的混和状态。 相似文献
8.
Ternary Zn1-x CdxO alloying films were deposited on silicon substrates by a reactive magnetron sputtering method. The structures of the films were characterized by transmission electron microscopy(TEM) and X-ray diffraction(XRD) analysis, respectively. The XRD measurement shows that the wurtzite-type structure of Zn1-xCdxO can be stabilized up to Cd content of x=0.53 without a cubic CdO phase separation. The TEM measurement shows that the films have a columnar structure and the grains are highly c-axis oriented perpendicularly on silicon substrate although some grain boundaries are slightly tilted. High resolution TEM observation indicates that a native layer of amorphous SiO2 exists at the ZnCdO/Si interface and that ZnCdO grains with c-axis preferred orientation nucleate directly on substrate surface. 相似文献
9.
反应溅射制备AlN薄膜中沉积速率的研究 总被引:14,自引:2,他引:14
通过对浅射过程中辉光放电现象及薄膜沉积速率的研究,发现随着氮浓度的增大,靶面上形成一层不稳定的AlN层,由于AlN的溅射速率远小于Al,从而使薄膜的沉积速率显著下降。同时还研究了其它溅射参数对薄膜沉积速率的影响。结果表明:随靶基距的增大靶功率的减小,不同程度引起沉积速率的下降;随着溅射气压的增大,最初沉积速率不断增大,当溅射气压增大到一定程度时,沉积速率达到最大值,之后随溅射气 压的增大,又不断减小。 相似文献
10.