IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

共面波导有限金属厚度效应的研究

用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析，编制了相应的计算机程序，给出了数值解，并对此进行了多元曲线拟合，导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解，并与K．C．格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较，结果表明此修正公式与实验值相符较好。     

非金属导体流态化电极的研究及应用

流态化电极是处理低浓度重金属离子废水的有效方法，本文地非金属导体流态化电极进行研究，并应用于处理含铜废水，可将铜离子浓度降到１ｐｐｍ以下。     

新型ESD抑制器件

安森美半导体目前推出μESD（微型ESD）双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计，适用于需要小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。     

大功率开关电源的设计与实现

介绍了开关电源设计中需要考虑的几个基本问题,包括频率的确定、最大占孔比Dm的确定、逆变变压器的设计和开关功率管的选择,并以一种1 kW的PWM大功率半桥式开关电源为例,详细介绍实际的开关电源设计方案,并给出了实验结果.     

大环分子低维导体

本文综述了大环分子面－面堆积结构的准一维导体的结构、性质、导电机理、合成方法及研究进展。     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。