强磁场下高抗干扰能力、快响应真空规的研制进展

在托卡马克放电过程中，由于等离子体与壁相互作用，使器壁迅速释放大量杂质粒子和燃料气体，增加等离子体杂质浓度和氢再循环，严重影响等离子体的稳定性；在偏滤靶附近，中性粒子密度则决定了辐射滤器以及脱离靶等偏滤器等运行模式，为此，特定位置的中性粒子的密度、通量密度等成为等离子体与壁相互作用研究非常重要的参数。     

二段式含油污水处理技术在油田应用效果好

近年来，聚合物驱油技术在一些油田得到了广泛应用，但对于承担胜利油田孤东采油厂含油污水处理的东二联合站，由于回注水含油量和杂质浓度较高，造成每天大量未被脱出的原油随着回注入污水白白流失，而且极易堵塞地层，不仅造成了很大的浪费，而且对油藏开发极为不利。     

二段式含油污水处理技术在油田应用效果好

近年来，聚合物驱油技术在一些油田得到了广泛应用，但对于承担胜利油田孤东采油厂含油污水处理的东二联合站，由于回注水含油量和杂质浓度较高，造成每天大量未被脱出的原油随着回注入污水白白流失，而且极易堵塞地层，不仅造成了很大的浪费，而且对油藏开发极为不利。     

衬底掺杂浓度对深亚微米槽栅PMOSFET特性影响

基于流体动力学能量输运模型，利用二维器件仿真软件MEDICI，对衬底掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET特性进行了研究，并与相应平面器件的特性进行了对比。研究发现，随着衬底掺杂浓度的提高， 与平面器件相同，槽栅器件的阈值电压提高，漏极驱动能力降低，抗热载流子能力急剧退化；但与平面器件相比，槽栅器件的阈值电压受衬底杂质浓度影响较小；漏极驱动能力及抗热载流子性能随衬底杂质浓度提高的退化则较平面器件小得多。     

〈211〉方向InSb单晶横截面的均匀性研究

借助于低温下标准样品的霍耳测量分析方法,测定了[111]晶向同[211]晶向(111)面上的杂质浓度分布,为制得径向上杂质浓度分布较均匀的材料指出了一条有效途径。     

晶体硅扩散层有效杂质的浓度分布

在求解半导体扩散层中有效杂质浓度分布时,如果将半导体的载流子迁移率μ当作常数,所得的结果与实际分布有较大的出入。为了将迁移率的变化考虑到计算中,提出一个分段函数对n型硅的迁移率实验曲线进行拟合。考虑载流子迁移率μ的分布后,实验求得的分布曲线与实际分布更加接近了。     

新型熔盐快堆中辐照熔盐靶件生产238Pu的物理分析

以氯化物熔盐为靶基质对新型熔盐快堆中²³⁸Pu的生产进行了分析,使用SCALE6.1（Standardized Computer Analyses for Licensing Evaluation Version 6.1）程序,对比了不同靶基质与靶件半径在²³⁸Pu生产中²³⁷Np的转换率与利用率,分析了反射层的能谱分布、不同位置辐照孔道的²³⁷Np反应截面、靶件插入对堆芯反应性的影响以及生成²³⁶Pu杂质浓度,并计算了²³⁸Pu的纯度及产量随辐照时间的变化。结果表明:NpCl₄纯盐靶基质的²³⁷Np转换率较高,减小靶件半径可提高²³⁷Np利用率;远离堆中心位置的辐照孔道热中子份额较高,且靶件插入对堆芯反应影响较小;辐照孔道内靶件的²³⁶Pu浓度可减小至1×10^-7以下,²³⁸Pu纯度超过98%;当辐照周期为40 d时,     

超高纯锗棒或锭的净杂质浓度检测方法

介绍了一种检测超高纯锗棒或锭的净杂质浓度的新方法,采用直流两探针法,在77 K恒温下进行检测;两探针检测得到等间距电压降U,通过函数关系式计算得到电阻率ρ,再根据函数关系式|N_A-N_D|=1/(ρ×q×μ),计算得到探针笔间的锗棒或锭的平均净杂质浓度|N_A-N_D|。该方法可以检测锗棒或锭的整体杂质浓度,检测结果相对准确,检测效率高,有利于产业化。     

Zn~(2+)对304L不锈钢钝化膜半导体性能的影响

Zn2+对304L不锈钢钝化膜半导体性能的影响目前鲜见报道.利用电容测量法研究了304L不锈钢在一系列ZnSO4浓度溶液中所形成的钝化膜的半导体性能,同时对影响钝化膜半导体性能的因素进行了讨论.考虑SO24-对不锈钢钝化膜的影响,在相同温度和浓度的条件下进行了Na2SO4中的浸泡对比试验.结果表明:在电位小于-0.4 V内,膜呈p型半导体特性,电位处于-0.4～0.3 V内,膜呈n型半导体特性;随着测试温度的升高及Zn2+浓度的增加,Mott-Sclaottky曲线的斜率有增大的趋势,膜内的杂质浓度减小.