轻松画图标! 教你一分钟玩转PS路径描边

Photoshop的路径工具和钢笔工具,很容易被人忽视,功能很强大,一直很低调。今天咱一块唠唠怎么用路径和钢笔,快速绘制简易线状图标,这个看了都能做噢!!!!哪怕是第一天学PS,也能做到。有人说UI难学,摸不到门路,那就从这一课开始吧。最终线条图标:     

离子膜电解反向电流及其消除

探讨反向电流的形成、反向电流的危害、极化整流器消除反向电流的若干方式、C-DCDS装置构成及其与极化整流器匹配应用于电解槽的情况,以及单独使用极化整流器或C-DCDS和两者匹配使用的方法。     

心源性猝死一级预防植入心律转复除颤器前非持续室性心动过速与植入后恰当治疗的关系

目的探讨植入型心律转复除颤器(implantable cardioverter defibrillator,ICD)用于心源性猝死一级预防时,植入前发生非持续性室性心动过速(non-sustained ventricular tachycardia,NSVT)与植入后ICD恰当治疗的关系。方法本研究为单中心回顾性队列研究,连续纳入2006年1月至2017年12月在北京协和医院住院植入ICD用于一级预防的心脏病患者,患者在住院期间ICD植入前均完善Holter检查。根据Holter检查是否出现NSVT,将患者分为NSVT组及无NSVT组。门诊或电话随访至2018年8月,随访事件包括全因死亡、植入后ICD放电治疗及抗心动过速起搏(antitachycardia pacing,ATP)治疗情况。结果纳入60例符合入选和排除标准的患者,随访时间37 (14～61)个月,KaplanMeier生存曲线及Log-Rank检验提示,NSVT组与无NSVT组相比,全因死亡率无统计学差异(P=0. 108),NSVT组恰当治疗的风险高于无NSVT组(P=0. 033),NSVT和左心室射血分数与ICD恰当治疗独立相关(NSVT:HR=5. 099,95%CI:1. 399～18. 588,P=0. 014;左心室射血分数:HR=1. 077,95%CI:1. 013～1. 145,P=0. 018)。结论 ICD一级预防患者植入前出现NSVT提示接受ICD恰当治疗的风险增加。     

便携极低速对流层散射通信系统优化设计

针对便携极低速对流层散射通信系统的远距离应用,在分析散射信道快衰落特性的基础上,提出便携极低速通信系统分集接收方案,并给出不同分集重数情况下的误码性能理论曲线,在此基础上提出采用失真自适应接收的抗多径波形以获取最大隐分集增益,设计并实现高效低时延LDPC编码和窄带滤波器。仿真结果表明,纠错编码可获得5 d B编码增益,窄带滤波解决了极低速远距离通信存在的多普勒效应问题。在系统测试平台上对便携极低速散射通信系统性能进行实测,测试结果表明,该优化设计方案可有效提升系统能力。     

水蜡叶斑病病原菌鉴定及对药剂的敏感性

[目的]为明确水蜡叶斑病致病菌,为其防治提供依据。[方法]采用柯赫氏法则、形态学测定、r DNA-ITS序列比对鉴定,研究了致病菌的分类地位;测定了病菌对不同杀菌剂的敏感性。[结果]水蜡叶斑病致病菌是极细链格孢菌(Alternaria tenuissima),测定了病菌对12种杀菌剂的敏感性。结果表明:10%苯醚甲环唑WP、30%氟菌唑WP、125g/L氟环唑SC对菌丝的敏感性较高,EC_(50)值分别为14.36、37.91、29.86 mg/L;对孢子的敏感性较高,EC_(50)值分别为125.81、245.73、207.03 mg/L。[结论]明确了水蜡叶斑病致病菌种类,筛选的3种杀菌剂可有效抑制病害的发生。     

200kA大型预焙槽强化电流后技术条件的优化——高分子比降低槽工作电压

本文主要通过对一、二、三电解厂强化电流前后技术条件的对比，阐述了适当提高分子比、降低电解槽槽工作电压对节能降耗的重要性。     

轧制始极片

本文介绍了轧制法生产始极片的工艺，比较了轧制法和传统的钛种板生产始极片的优缺点，讨论了采用轧制始极片的经济效益和应用前景。     

CDMA基站杂散发射测试的一些经验

基站的发射机性能是影响移动通信网络的容量和覆盖特性的最主要的因素之一,因此在CDMA设备入网检测中,对这方面的检测向来都非常严格。随着国家对基站发射性能指标的要求不断提高,原有的测试方法和测试仪器都已经无法满足要求。摩托罗拉(中国)电子有限公司《CDMA基站杂散发射测试的一些经验》一文以基站杂散发射测试为例,指出了原有测试方法的不足,介绍了一种科学的测试基站杂散性能的方法,并推荐了具体的测试仪表。对相关测试人员进行更严格和更完善的基站杂散发射机性能检测有一定参考价值。     

2.4GHz动态CMOS分频器的设计

对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW.