一种确定活性碳取样滤盒中131I活度的新方法

代替传统的通过效率刻度测量131I活度的方法,借助于MCNP5模拟和求解病态矩阵方程得出131I在取样滤盒中的深度分布和总活度.该方法稳定性良好,无需制备标准样品和效率刻度,有利于快速准确地监测131I的排放；可以给出深度分布,有助于了解131I在取样盒中的物理进程.     

用~(19)F(p,αγ)共振核反应测深度分布非共振产额的影响

用~(19)F(p,αγ)共振核反应测量浓度深度分布是一个应用广泛的方法,发表了大量的文章。因为出射的α粒子能量低,不容易探测,所以几乎无例外的都是测γ射线。其中不少文章认为,测得的样品激发函数与靶核浓度深度分布形状是非常相似的,二者之间只差一个比例因子。实际上,这只在薄靶情况下是对的,对于厚靶,二者并不相似。     

同步辐射X射线反射技术及其在测量δ掺杂晶体中原子表层深度分布的应用

X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。     

Ag-Cu双金属纳米颗粒在硅酸盐玻璃中的形成过程

利用两步离子交换结合H2气氛热处理的方法,制备出Ag-Cu双金属纳米颗粒/硅酸盐玻璃复合材料.结合吸收光谱和X射线光电子能谱研究了不同工艺条件下Ag、Cu在玻璃中的深度分布、价态变化及其玻璃网络结构的变化.结果表明:掺杂后的玻璃中银和铜的含量随深度不同有所不同.Ag+-Na+离子交换过程中,Ag+与非桥氧结合形成Si-O-Ag键,样品中的银主要以离子状态存在.H2气氛中热处理后,大部分与非桥氧相连的Ag+被还原,H+随即取代Ag+位置,与非桥氧形成-OH结构,还原出来的Ag0经成核和生长形成银纳米颗粒.第二次Cu+-Na+离子交换后,Cu+被引入硅酸盐玻璃,并有二价铜离子存在,再经过H2热处理后,铜离子被还原,在表层聚集生成铜纳米颗粒.     

水平层状海底Scholte波频散特性

海底Scholte波沿着海底流—固界面传播,具有典型的频散特性。Scholte波的频散特性可以反演海底浅层的横波速度,是海底横波速度建模的有效手段。建立准确的Scholte波频散理论模型至关重要。根据真实海水—海底环境建立水平层状海水—海底弹性模型,并利用边界应力和位移连续性条件推导了该模型的Scholte波频散方程及位移方程。分析了海水深度和海底物性参数对Scholte波频散特性的影响,6层海水—海底模型实验结果表明：(1)无论是硬海底还是软海底,Scholte波都具有明显的频散特性,硬海底Scholte波能量主要集中在海水中,基阶能量最弱,2阶能量最强,随着海水深度增加,Scholte波频散特性减弱;软海底模型固体海底的Scholte波能量明显增强,此时海水深度对Scholte波频散特性影响很小。(2)相比于深海环境,浅海Scholte波能量更强,频散特征更明显,因此在浅海环境利用Scholte波反演海底浅层横波速度的精度和可信度更高。最后,基于东海某工区的实际海底弹性地质模型模拟海底多分量地震数据并从中提取频散曲线,与理论计算的频散曲线进行对比分析,二者的频散曲线吻合很好,验证了...     

一种确定活性碳取样滤盒中~(131)Ⅰ活度的新方法

代替传统的通过效率刻度测量131Ⅰ活度的方法,借助于MCNP5模拟和求解病态矩阵方程得出131Ⅰ在取样滤盒中的深度分布和总活度。该方法稳定性良好,无需制备标准样品和效率刻度,有利于快速准确地监测131Ⅰ的排放;可以给出深度分布,有助于了解131Ⅰ在取样盒中的物理进程。     

用质子弹散符合测量方法分析薄膜中氢分布的蒙特卡罗研究

本文从离子与物质相互作用的基本原理出发,用蒙特卡罗方法模拟了用质子弹性散射符合分析方法分析表面含氢的几组不同厚度的金属薄膜样品的实验,详细介绍了模拟过程中影响深度分辨率的多种因素,如束流能量、能损歧离、角度歧离等。本文基于2×1.7MV串列静电加速器可以提供的质子束能量范围,通过模拟计算得到用能量为1.5 Me V的质子束分析厚度为1~3微米的铝膜,深度分辨可以达到0.2微米。本文还给出了内部含氢的多层铝膜的模拟结果,表明此方法可以很好地分析薄膜内部氢元素的深度分布。     

银基体上铜等离子体基离子注入层的成分分布

研究了银基体上铜等离子体基离子注入 (CuPBII)层成分深度分布与试验工艺参数的关系。选择影响注入离子能量的脉冲偏压和注入剂量的不平衡磁控靶放电电流和靶基距作为试验参数 ,用X射线光电子谱 (XPS)进行注入层成分深度分析。结果表明 ,对较高的脉冲偏压 (80kV)、中等的磁控靶电流 (75mA)和近的靶基距 (2 0 0mm) ,容易形成厚的银铜过渡层 (7.6μm) ,且铜离子注入、铜原子的反冲注入与铜的沉积很好地匹配。与气体等离子体基离子注入不同 ,铜的沉积速率成为影响银铜过渡层的又一决定因素。