二硅化钼加热窑炉的直流供电电气系统

二硅化钼加热窑炉的直流供电电气系统李锦桥长兴高温元件电炉厂国内的１６００℃以上的二硅化钼加热的隧道窑，长度都在２０ｍ左右，温控区不少于三段，功率一般在２００ｋＷ以上。这样的大型窑炉通常采用三相供电，各段加热区为交流单相调压供电。窑炉运行时经常出现三相...     

MoSi2发热体在熔铝炉中的运用

以电阻熔铝炉技术改造实践为例，介绍一种高效、节能、不渗铁的新型熔铝炉——二硅化钼熔铝炉的设计。     

新型催化剂让太阳直接“劈”出氢能源

德国科学家开发出了一种新型半导体催化剂，它能够让太阳能直接“劈开”水分子，得到氢气。新型催化剂源自二硅化钛（TiSi2），一种具有特殊光电性能的半导体材料，在反应最初阶段，二硅化钛表面的微小氧化物会促使接触反应中心形成，从而直接、高效地将水分解为氢气和氧气。二硅化钛在反应中所起到的不仅是光催化作用，同时能够可逆存储产生的气体，实现氢和氧的完美分离。[第一段]     

新型结构的1.3μmGexSi1—x／SiMQW波导探测器的优化设计

本首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ波导探测器结构，器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成，器件的输入端是８μｍ宽的波导，这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率，对于器件的材料结构，电学和光学特性进行了仔细的分析与设计，结果表明，优化设计的器件其外量子效率可达２８％，比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高２－３倍，而上升下降时间仍然保持     

硅化结形成技术

详细地讨论了和比较了三大类硅化硅形成方法特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。     

炭质制品的硅化

1.前言炭质制品硅化已引起了人们的普遍重视,并且得到应用。因为由此而形成的SiC制品气孔率低、密度大,其性能远远优越于以SiC为原料经压型,烧结制成的SiC制品。另外在炭制品表面硅化的SiC防护层,对于弥补炭质制品的某些缺陷起了重要作用。     

硅化钼发热元件机械强度与微观结构关系的研究

高强度硅化钼发热元件是由四方晶系结构的ＭｏＳｉ２相及含碳的六方晶系结构的Ｍｏ５Ｓｉ３相组成，合适的加人物和工艺可改善元件的均质性，抑制晶粒长大，改善粒子间的接触，提高晶界的接触力，从而提高元件的机械强度。     

硅化腐植酸钠GFN-1的研制

针对目前生产腐植酸硅化产品原料受限的缺点,在大量试验的基础上,确定了一条以腐植酸和硅化剂为主要原料的生产工艺,合成了一种与有机硅腐植酸钾(OSAM-K)性能相当的硅化腐植酸钠产品GFN-1,对其常规性能指标和在清水及无固相聚合物钻井液体系中、在膨润土浆和低固相钻井液体系中应用指标,耐温性能进行了对比实验。实验结果表明,GFN-1作为钻井液添加剂,具有良好的降滤失、降黏、耐温及热稳定性,并兼有优良的控制页岩分散能力,其大多数应用性能相当于或略优于OSAM-K,作为替代品完全能够满足油田现场应用的需要。GFN-1的硅化原料性质稳定、来源广泛,生产工艺简单易行,产品质量稳定,具有较好的推广价值。