Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

钉基厚膜应变电姐力敏模型的初始讨论

摘要：通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型，提出力敏模型。     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

肖特基型红外探测器

利用试制的焦平面阵（ＦＰＡ）实验证明，采用电荷扫描器（ＣＳＤ）可有效地提高ＰｔＳｉ肖特基势垒红外焦平面阵的性能。开发出孔径率为７１％的５１２×５１２象元高灵敏度红外焦平面阵和１０４０×１０４０象元高析像度ＰｔＳｉ红外焦平面阵。     

相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响

在高Ｂ值，高电导率的ＮＴＣ热敏材料中，Ｘ－ｒａｙ衍射，ＸＰＳ分析表明有三相：ＮｉＭ２Ｏ４，ＣｕＭｎ２Ｏ４和Ｍｎ３Ｏ４组成。三相之间比例的相对变化对共电导率有较大影响，Ｂ值的变化主要来自相界势垒的贡献。     

基于IR1167的智能同步整流控制

引言 随着近年来数字处理电路电压的不断降低，电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高。整流器件已从最初的肖特基二极管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管，以降低功耗。目前，控制同步整流开关管的方法主要有分立式和基于锁相环的控制芯片两种。用分立元件实现同步整流的缺点是响应过慢，系统可靠性相对差。单芯片同步整流是基于锁相环技术的，从初级取信号同步控制次级整流开关管，这种方法的缺点是不能保证在间隔模式（轻载或空载时发生）下可靠操作。     

国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景

本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。     

立方相GaN的持续光电导

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .