神经鞘直径在颅脑术后的监测价值

目的:探讨神经鞘直径(Optic Nerve Sheath Diameter,ONSD)超声监测在颅高压患者术后的临床应用。方法:选择2013年11月-2014年5月本院颅脑疾病患者26例为观察组,根据入院时GCS评分为重型颅脑损伤患者15例,大面积脑梗死6例,脑肿瘤5例,术后1、2、3 d根据病情变化动态用彩超经眼眶检查观察组眼球后3 mm处ONSD大小,每眼每次检查3次,计算ONSD平均值,同时观察生命体征和GCS评分变化,统计生存率。结果:术后平均ONSD<5 mm 17例,>5 mm 6例,>6 mm 6例;死亡7例,植物生存2例。结论:动态监测颅脑术后ONSD变化有助于正确判断颅脑术后患者的病情变化,指导及时复查CT或再次手术,可成为神经重症监护病房常规监测手段。     

不典型感染性心内膜炎超声诊断的临床分析

目的:对不典型感染性心内膜炎超声诊断进行临床分析。方法:对2012年4月-2014年4月在本院接受治疗的50例不典型感染性心内膜炎患者和50例非感染性心内膜炎患者进行临床研究,均分别进行超声心动图检查、血培养检查、血清免疫学检查、心电图检查诊断,研究比较不典型感染性心内膜炎患者的检出情况及两组患者的相关检查结果。结果:不典型感染性心内膜炎患者的超声心动图检查的确诊率(98.0%)明显高于血培养检查、血清免疫学检查、心电图检查的确诊率(76.0%、58.0%、34.0%),比较差异有统计学意义(P<0.05)。不典型的感染性心内膜炎患者与非感染性心内膜炎患者存在赘生物的比例分别为98.0%和100%,比较差异无统计学意义。两组患者的血培养显示阳性的比例分别为76.0%和32.0%,两组患者的循环免疫复合物(CIC)含量显示超标的比例分别为58.0%和80.0%,两组患者的T波发生改变的比例分别为34.0%和60.0%,比较差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:超声诊断对不典型感染性心内膜炎的临床诊断准确率较高,对于此类患者的鉴别诊断十分重要。     

超声技术在颈内静脉穿刺置管中的应用

目的:观察超声技术在颈内静脉穿刺置管中的应用。方法:选择ASAⅠ~Ⅱ级患者75例,随机分为三组,传统组(Ⅰ组)、超声定位组(Ⅱ组)、超声引导组(Ⅲ组),每组均为25例。观察各组穿刺操作的时间、患者穿刺一次成功的例数、穿刺次数及并发症发生例数。结果:一次穿刺成功率超声引导组为92.0%、超声定位组84.0%,明显高于传统组的60.0%,而且超声两组操作时间亦明显小于传统组,差异有统计学意义(P<0.05)。超声引导组患者穿刺相关并发症发生率为8.0%、超声定位组16.0%,显著低于传统组的44.0%,差异统计学意义(P<0.05)。结论:超声技术在颈内静脉穿刺是安全可行的技术,可极大提高穿刺成功率、缩短穿刺时间及减少并发症的发生,值得临床推广应用。     

高导电性原油电脱盐工艺研究

南阳原油中金属含量较高,掺有部分3次采油采出原油,加工时易造成电脱盐装置原油乳化,电导率高,脱盐难度较大。装置投产十几年来脱后含盐一直不合格,经过改造仍然超标,常压塔顶腐蚀严重。为此,对原油进行了电脱盐工艺条件及破乳剂研究,研制出了高效电脱盐设备和生物复合脱盐剂及降电流剂,采用平流弓形电极进行改造,解决了该原油的电脱盐问题,使脱后含盐达到3 mg/L。     

电磁超声流量计的研制

基于电磁声换能器的原理，研制了一种新型的电磁超声流量计，并讨论提高测量精度的措施。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

复合材料手动扫描超声特征成像检测

研究了复合材料手动扫描超声特征成像检测，通过对超声检测信号的全波列采集与处理，实现了A，B，C扫描成像；相位特征成像；当量特征成像；超声层析技术和超声频谱分析技术。该系统已经在复合材料的检测上得到了良好的应用。     

高能聚焦超声肿瘤治疗机简介及故障排除三例

简单介绍高能聚焦超声肿瘤治疗机的原理，和在实际使用过程中出现的三例故障的排除过程。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.