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1.
楼滨乔 《核电子学与探测技术》1993,(4)
本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。 相似文献
2.
用多种快重离子辐照高定向石墨(HOPG),借助扫描隧道显微镜(STM)系统地研究了表面及体内缺陷,结果表明,离子在表面及解理面上都形成了小丘状的缺陷,且在表面较容易形成,可以用非连续损伤径迹结构来对其进行解释。 相似文献
3.
4.
5.
通过体外培养血管内皮细胞,运用^3H-TdR标记示踪方法建立体外B16黑色素瘤侵袭模型,对15G^60Coγ射线照射血管内皮细胞前后侵袭率的时相变化进行了研究,而且运用放免及酶标技术检测辐射前后血管内皮细胞分泌PGI2,TXB2TPA,PAI的时相性变化,以探讨辐射在肿瘤转移中的作用机理。 相似文献
6.
7.
采用81 MeV碳离子辐照,模拟中子注量为10~(23)/cm~2的堆中子在Nb中产生的辐射损伤,用时间微分扰动角关联和正电子湮没二种方法研究辐射损伤及其高温退火效应。实验发现经注量2.5×10~(16)/cm~2的碳离子辐照后,在BCC金属Nb中产生单空位和双空位二种缺陷。随退火温度升高,双空位分解,单空位的总浓度逐步减小,经过1058K退火后,在Nb中由辐射损伤造成的缺陷消失。 相似文献
8.
9.
核组蛋白-咖啡酸二元混合体系在pH9,77K辐照并测定的ESR谱主要呈现为咖啡酸阴离子自由基的信号用计算机模拟ESR波谱方法,对二元体系以其组分核组蛋白和咖啡酸单谱信号线性叠加拟合进行重组,经处理后得到该体系中咖啡酸自旋转移的百分率。结果显示,随着体系中核组蛋白含量的增加,自旋转移百分率也随之增加,表明体系内发生了电子自旋由核组蛋白向咖啡酸的转移。 相似文献
10.
表面n沟CCD的电离辐射损伤 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。 相似文献