荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。     

硼化镧薄膜的发射特性研究

LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源，但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究，本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测，使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比，薄膜显示出良好的发射特性，利用热发射测量逸出功，利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2．64eV。     

外光电效应中光电流的计算

根据金属中电子系统可假设为具有质量为ｍ的粒子组成的理想费密气体，其在热平衡时服从费密－狄喇克分布规律，导出单位强度单色米束照射金属时所感生的光电流。     

热电偶接触电势的机理浅析

介绍了金属中粒子在势阱中的运动及与能量的关系,导出了电子逸出功φ与势阱深度W_d及费米能E_p的关系。文中还据此分析了热电偶两种金属的产生的接触电势表达式。     

逸出功的某些特性

在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm2T2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用单晶面测量时,理论和实验值便相符了。事实上发射来源于已穿透进势垒的表面电子。这些电子既不能进入真空,也不能在金属导带中自由运动,否则不同晶面便不可能有不同的逸出功。异族元素的吸附增加表面电子的数目和能量,因而使逸出功下降。     

扫描隧道显微镜功函数信息成像方法

在自行研制的超高真空扫描隧道显微镜基础上,利用信号调制技术,建立了表面功函数信息成像方法,介绍ＳＴＭ功函数信息成像方法的原理,并利用该方法同时获得样品表面同一区域的形貌信息和功函数信息像。结果表明,利用功函数信息成像技术可以实现区分样品表面的元件及其分布。     

Y2O3含量对Y-Gd-Hf-O直热式压制阴极发射性能的研究

为了提高Y-Gd-Hf-O压制式高温阴极的热发射性能,制备了Y2O3/HfO2摩尔比不同的S2O3掺杂Y-Gd-Hf-O直热式压制阴极。测试结果显示,当比值为5/2时,热发射能力最好,1500 ℃下发射电流为2.79 A/cm2。阴极支取直流发射电流密度1.0 A/cm2,在1500 ℃的工作温度下,已经稳定工作了1320 h,并在该温度下经过696 h的10 W连续电子轰击后,发射电流仍保持为初始值的86%,表现出良好的耐电子轰击能力。XPS结合深度刻蚀表明,发射活性层主要集中在距表面50 nm深度范围内。表层SEM、EDS分析表明,阴极经过激活、老炼,活性物质粒径变大,Y/Hf原子比低于初始值,且随着Y2O3含量的提高,阴极表层n型半导体Y2O3-x的含量相应地增加,对改善阴极表面的导电性、降低逸出功和提高阴极的热发射性能有促进作用     

低气压放电灯阴极发射特性的测试与研究

用射频噪声法测出了低气压放电灯(荧光灯、紧凑型节能灯、紫外杀菌灯等)阴极的零场发射电流,进而研究了阴极温度和阴极零场发射之间的变化规律,最后,得到了一种比较简单、方便、实用的测试阴极发射特性的方法。     

具有(100)择优取向的高致密LaB6多晶材料的制备与表征(英文)

本文以六硼化镧(La B₆)纳米立方体粉体为原料,经放电等离子烧结(SPS)制备了具有(100)择优取向的高致密La B₆多晶材料。详细研究了La B₆多晶材料的微观组织结构和热电子发射性能,结果表明La B₆多晶材料的相对密度高达95.8%,而且在垂直于SPS烧结压力方向上的表面形成了(100)择优取向。具有择优取向的La B₆多晶材料表面的电子逸出功仅为2.73 e V,与La B₆单晶材料(100)晶面的理论电子逸出功接近。分析了La B₆多晶材料具有择优取向的原因。