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1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
2.
3.
综述了铁素体与铁素体异种金属焊缝(dissimilar metal welds,DMWs)接头界面组织及其影响。结果表明,在焊后热处理或运行温度下的铁素体钢DMWs接头的不均匀界面组织中,通常会形成脱碳层和增碳层。在铁素体钢DMWs焊接接头界面组织影响因素中,焊缝金属的化学成分有重要影响;焊后热处理规范(温度和时间)、工作温度下运行时间的影响较为突出;焊接工艺参数的影响亦不可忽略。异种钢接头界面处近缝区裂纹的产生,以及接头的蠕变强度随Larson Miller 参数增大而下降等不利影响,均为异种钢界面碳迁移行为所导致。焊缝成分控制法是接头界面组织控制或改善的必要条件,而脱碳层部位转移法能有效防止裂纹发生,亦是接头安全运行的重要工艺措施之一。 相似文献
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