铁电体尺寸对其开关特性的影响

应用铁电体极化反转的Orihara Ishibashi理论 ,讨论了圆形铁电薄膜和球形铁电体的开关电流以及开关时间对系统尺寸的依赖性。数值计算表明 ,不论是二维还是三维铁电系统 ,其铁电畴反转过程中产生的开关电流都随系统尺寸减少而下降 ,开关时间随系统尺寸减少而缩短     

KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究

利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。     

铁电畴层波的电光效应

铁电１８０°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波，其电场导致了构成铁电１８０°畴结构的晶体的电光效应，畴结构的光率体发生了改变，晶体的主折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调节。这一效应在声光控制和超声检测方面有应用价值。     

铁电阴极电子发射机理研究

通过铁电阴极二极管电子发射试验分析讨论了发射前后材料的X射线衍射和发射的微观机理 ,指出铁电极发射是出于材料在高电场作用下的极化反转 ,发射电流密度与触发电场满足幂指数关系 ,其幂指数等于 1 1。     

PbTiO_3/SrTiO_3(001)复杂畴组态和缺陷的研究北大核心CSCD

用透射电子显微镜对PbTiO_3/SrTiO_3(001)薄膜内部所形成的复杂畴组态以及畴壁处的位错进行了系统的研究。透射电镜结果和几何相位分析(GPA)表明,薄膜内部两个交叉的a畴内部出现了180°畴壁,导致在局部区域形成了全闭合畴结构,在铁电畴壁处观察到高密度位错。高分辨HAADF-STEM像分析显示,在90°畴壁处容易形成a<011>型位错,在180°畴壁处容易形成a<100>型位错,表明位错的形成与铁电畴壁类型存在强耦合关系。     

外加电场极化法制备LiNbO3铁电畴反转光栅

在室温下,应用外加电场极化法对z切0．5mm厚的LiNbO3晶体实现了铁电畴反转,并成功地制备了LiNbO3铁电畴反转光栅。     

锆钛酸铅镧陶瓷裂尖处由电场诱发90°铁电畴变的实验研究

用传统陶瓷工艺合成制备了（Ｐｂ０．９６Ｌａ０．０４）（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）０．９９Ｏ３（ＰＬＺＴ）铁电陶瓷,并用Ｘ射线衍射对其结构进行了测定,表明室温下ＰＬＺＴ陶瓷为铁电四方相结构：ａ＝ｂ＝０．４０５５ｎｍ,ｃ＝０．４１０９ｎｍ,ｃ／ａ＝１．０１３．将ＰＬＺＴ陶瓷极化后,在抛光面进行压力为４９Ｎ的Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕,并施加强度为０．４Ｅｃ,０．５Ｅｃ,０．６Ｅｃ（Ｅｃ＝１１００Ｖ／ｍｍ）的侧向电场．用场发射扫描电镜研究观察ＰＬＺＴ试样极化前、极化后以及在侧向电场作用下压痕裂纹附近铁电畴结构的形态及其变化．结果表明在０．６Ｅｃ的侧向电场作用下,压痕裂纹附近发生了９０°铁电畴变,在扫描电镜的铁电畴结构形貌图上再次出现了平直的９０°铁电畴界．探讨了９０°铁电畴变的形成及促发机制．     

外延BiFeO3薄膜的TEM显微结构表征

外延BiFeO3薄膜中丰富的结构与特殊的性能一直是近年来研究的热点.显微结构的研究不仅可以帮助人们进一步认识BiFeO3的结构信息,还可以帮助人们深入了解BiFeO3结构与性能间的关系,开拓新的应用领域.本文利用球差校正高分辨透射电子显微镜对外延在LaAlO3过渡层/Si基底上的BiFeO3薄膜进行研究.通过原子尺度的定量分析,在应力状态复杂区域观察到类菱方相、应力释放后恢复的菱方相以及拉应力状态下c/a值小于1的类菱方相,并在该区域观察到109°铁电畴,且畴间存在4.4°的畸变夹角.还观察到比较大的c/a比.     

外场作用下BaTiO_3单晶裂纹扩展和畴变

通过偏振光显微镜对连续应力和恒电场作用下的BaTiO_3单晶中的裂纹扩展和畴变过程进行原位观察.结果表明.在连续应力的作用下,裂尖处应力集中导致出现畴变带,裂纹与畴变带垂直相交,畴带和裂纹一起向前移动,畴变在先,裂纹扩展在后;在恒电场作用下,畴变引起的不协调应变导致电致裂纹扩展,畴变始终发生在裂纹扩展之前.裂纹向前扩展时不断的切过前方的畴带,直到不再有畴变发生时裂纹停止扩展.     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究ＫＴｉＯＡｓＯ₄晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义．本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著,ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物．讨论了这些缺陷形成的原因。