铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

MCU更佳的应用伴侣——FM31系列

FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列，包含4K-256K的铁电存储器，精度为＋2．17PPM的RTC，低电压复位，看门狗复位和低电压检测，8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量

等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为…     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

铁电存储器原理及应用

本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较，分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口，着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。     

美国工程师合成P型ZnO纳米线

美国加州大学圣地亚哥分校的工程师们合成了长期寻求的半导体材料-P型ZnO纳米线，为价格更低廉的新型发光二极管的制作铺平了道路。     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

溶胶—凝胶法制备PCT铁电陶瓷

本文报导了通过溶胶－凝胶法制备Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３（ｘ＝０．１￣０．３）铁电陶瓷原料粉末，所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺ＣａＯ量对晶体结构和烧结温度的影响。在ＰＣＴ晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过１０００￣１２００℃的烧结过程，所得ＰＴＣ陶瓷可达理论密度的８８￣９４％。